SI8261ABC-C-ISR 是 Silicon Labs(芯科科技)推出的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片,专为驱动高功率MOSFET和IGBT器件而设计。该芯片采用Silicon Labs的专有数字隔离技术,提供了出色的抗干扰能力和电气隔离性能,适用于工业电机控制、电源转换、太阳能逆变器等高要求的应用场景。
供电电压:2.5V 至 5.5V(VDD1);隔离电压:5 kVRMS;输出峰值电流:最大2.5A;传播延迟:最大100ns;上升/下降时间:典型值15ns;工作温度范围:-40°C 至 +125°C;封装形式:8引脚SOIC;
SI8261ABC-C-ISR具备多项先进的性能特性。其采用的数字隔离技术基于CMOS工艺,提供了高达5 kVRMS的电气隔离能力,同时保持了低功耗和高可靠性。该芯片的两个输出通道独立控制,每个通道均可提供高达2.5A的峰值输出电流,确保对高功率开关器件的有效驱动。此外,SI8261ABC-C-ISR具有极低的传播延迟(最大100ns)和快速的上升/下降时间(约15ns),这使得其适用于高频开关应用,有助于提高系统效率并减小功率损耗。
在保护功能方面,SI8261ABC-C-ISR内置欠压锁定(UVLO)保护,以确保在电源电压不足时关闭输出,防止不完全导通或损坏功率器件。其输入端兼容3.3V和5V逻辑电平,方便与各种控制器(如MCU、DSP或FPGA)连接。此外,该芯片还具有高共模瞬态抗扰度(CMTI),可有效抵抗高速开关引起的干扰,确保信号传输的稳定性。
从封装角度来看,SI8261ABC-C-ISR采用标准的8引脚SOIC封装,具有良好的散热性能和较高的集成度,便于在PCB上布局和安装。
SI8261ABC-C-ISR广泛应用于需要高可靠性和高性能隔离驱动的场合。例如,在工业电机驱动系统中,该芯片可用于驱动H桥电路中的高/低端MOSFET或IGBT,实现高效、稳定的电机控制。在太阳能逆变器中,SI8261ABC-C-ISR可用于驱动DC-AC转换器中的功率开关,支持高频切换以提高系统效率。此外,该芯片也适用于不间断电源(UPS)、电动车充电器、智能电网设备以及各类开关电源(SMPS)等应用中,提供安全可靠的隔离驱动解决方案。
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