时间:2025/10/11 5:32:26
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S3B-PH-K-R是一款由ROHM Semiconductor生产的表面贴装肖特基势垒二极管(Schottky Barrier Diode),属于其广泛使用的SOD-123FL小型封装系列。该器件专为高效率、低功耗的电源管理应用而设计,适用于需要快速开关响应和低压降特性的电路环境。S3B-PH-K-R中的型号命名通常代表其电气特性与封装形式:S3B可能表示产品系列,PH代表电压等级(如40V),K表示反向电流或漏电流等级,R则表明其为卷带包装(Tape and Reel),适合自动化贴片生产。该二极管采用先进的半导体工艺制造,具备优良的热稳定性和可靠性,符合现代电子设备对小型化、高效化和环保化的要求。S3B-PH-K-R广泛应用于便携式消费类电子产品、通信设备、电源适配器、DC-DC转换器以及各类嵌入式系统中,作为整流、续流、防反接和瞬态电压抑制等关键功能元件。此外,该器件符合RoHS环保标准,无铅且不含卤素,满足国际绿色环保法规要求,在工业控制、汽车电子辅助系统等领域也有一定的适用性。
类型:肖特基势垒二极管
极性:单路(Single)
最大重复反向电压(VRRM):40V
最大正向平均电流(IF(AV)):3A
峰值正向浪涌电流(IFSM):80A(8.3ms半正弦波)
最大正向电压降(VF):550mV @ 3A,典型值;620mV @ 3A,最大值
最大反向漏电流(IR):300μA @ 40V,25°C
工作结温范围(TJ):-55°C 至 +150°C
存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C
封装类型:SOD-123FL
安装方式:表面贴装(SMT)
热阻(RθJA):约90°C/W(依PCB布局而定)
引脚数:2
湿度敏感等级(MSL):1级(260°C回流焊)
S3B-PH-K-R的核心特性之一是其低正向导通压降(VF),在3A电流下典型值仅为550mV,显著低于传统PN结二极管,这有效降低了导通损耗,提升了整体电源转换效率,特别适用于电池供电设备或对能效要求较高的DC-DC同步整流场景。该低VF特性还减少了器件自身发热,有助于提高系统热稳定性并简化散热设计。
另一个重要特性是其高速开关能力。由于肖特基二极管基于金属-半导体结而非P-N结,载流子以多数载流子为主,几乎不存在少数载流子的存储效应,因此反向恢复时间(trr)极短,通常小于10ns。这一特性使其在高频开关电源、PWM控制电路和开关模式电源中表现出色,能够有效抑制电压尖峰和电磁干扰(EMI),提升系统动态响应速度与稳定性。
该器件采用紧凑的SOD-123FL封装,尺寸约为2.7mm x 1.6mm x 1.1mm,具有较小的占板面积和良好的热传导性能,非常适合空间受限的高密度PCB布局。同时,该封装经过优化设计,具备优异的机械强度和焊接可靠性,适用于全自动贴片生产线,支持回流焊工艺,符合现代电子制造的高效率和高一致性需求。
S3B-PH-K-R具备良好的热性能和宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),可在恶劣环境条件下稳定运行,适用于工业级和部分汽车级应用场景。其反向漏电流在高温下虽有所增加,但仍处于可控范围内,结合适当的电路设计可确保长期可靠性。此外,器件通过了多项国际认证,包括AEC-Q101应力测试标准(若用于汽车应用),具备高抗湿性(MSL1)和抗ESD能力,增强了在复杂电磁环境下的鲁棒性。
S3B-PH-K-R广泛应用于多种电源管理和信号处理电路中。在便携式电子设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和可穿戴设备中,常被用作电池充电路径的防反接二极管或DC-DC升压/降压转换器中的续流二极管,利用其低VF和高速特性延长电池续航时间并提升转换效率。
在AC-DC适配器和USB充电模块中,该器件可用于次级侧整流电路,替代传统快恢复二极管以降低功耗,提高轻载效率,满足能源之星等能效规范。在服务器、路由器、交换机等通信设备的板载电源系统中,S3B-PH-K-R作为POL(Point-of-Load)电源的整流元件,有助于实现高功率密度和低温升设计。
此外,该二极管也适用于LED照明驱动电源、太阳能充电控制器、电机驱动电路中的续流保护以及各类嵌入式微控制器系统的电源隔离与反向电压保护。在汽车电子领域,尽管非车规主控器件,但其可靠性能使其可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统或辅助电源单元中,提供高效的电压钳位与瞬态抑制功能。其小型化封装也便于集成于紧凑型模块或柔性电路板中,适应多样化的终端产品形态。