类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：30V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：4.4A（在25°C时）
　　功耗（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：最大0.044Ω（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：340pF（典型值）
　　封装形式：SOT-23

KPV4M MOSFET具有多项突出的电气特性和设计优势，使其在各种应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可以显著减少导通状态下的功率损耗，从而提高整体系统效率。其次，该器件的漏极-源极电压额定值为30V，能够承受较高的电压应力，适用于中等功率的电源管理应用。此外，KPV4M具备较高的栅极-源极电压容限（±20V），增强了在高噪声环境下的稳定性和可靠性。
　　KPV4M采用SOT-23封装，这种小型封装形式适合高密度PCB布局，并具有良好的热性能，能够有效散热，确保器件在高负载条件下稳定运行。同时，该MOSFET的开关速度较快，栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，提高响应速度，适用于高频开关电路。
　　其工作温度范围广泛（-55°C至150°C），能够在恶劣环境下稳定运行。此外，KPV4M还具备较强的抗静电能力（ESD保护），增强了器件在生产和使用过程中的可靠性。这些特性使得KPV4M在电池供电设备、负载开关、DC-DC转换器、电机控制和电源管理系统中具有广泛的应用前景。

KPV4M MOSFET被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. **电源管理系统**：由于其低导通电阻和高效率特性，KPV4M适用于各种电源管理电路，如DC-DC转换器、稳压器和负载开关，有助于提高整体能效。
　　2. **电池供电设备**：在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑、无线耳机等）中，KPV4M可用于控制电池充放电路径、电源切换和负载管理，以延长电池寿命并提高系统稳定性。
　　3. **马达控制**：在小型马达驱动器中，KPV4M可以作为H桥或单向开关使用，实现高效的电机启停和速度控制。
　　4. **工业自动化**：KPV4M适用于工业控制设备中的开关电源、继电器驱动和传感器接口电路，提供可靠的开关性能。
　　5. **汽车电子**：在车载电子系统中，如车载充电器、LED照明、ECU（电子控制单元）和电源分配模块中，KPV4M可提供稳定的功率控制能力。

KPV4M的替代型号包括：2N7002、2N3904、FDV301N、Si2302DS、BSS138