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ZDT749TA 发布时间 时间:2025/12/26 10:13:56 查看 阅读:8

ZDT749TA是一款由Diodes Incorporated生产的表面贴装硅瞬态电压抑制二极管(TVS Diode),主要用于保护敏感电子电路免受瞬态电压事件的损害,例如静电放电(ESD)、电感负载切换引起的电压尖峰以及雷击感应等。该器件采用SOD-323封装,具有体积小、响应速度快、漏电流低等特点,适用于便携式消费类电子产品和通信设备中的信号线或电源线保护。ZDT749TA属于单向TVS二极管,意味着它仅在一个方向上提供过压保护,通常用于直流电路中。其击穿电压适中,能够在系统电压异常上升时迅速导通,将多余能量泄放到地,从而确保后级电路的安全运行。由于采用了先进的半导体工艺制造,ZDT749TA具备良好的可靠性和稳定性,并符合RoHS环保要求,适合自动化贴片生产流程。

参数

类型:单向TVS二极管
  封装:SOD-323
  反向工作电压(VRWM):5.0V
  击穿电压(VBR):最小6.4V,最大7.86V(测试电流IT=1mA)
  钳位电压(VC):最大10.0V(IPP=1A)
  峰值脉冲电流(IPP):1A(基于8/20μs波形)
  峰值脉冲功率(PPPM):约10W(非重复性)
  漏电流(IR):最大1μA(在VRWM下)
  响应时间:典型值小于1ps
  极性:单向
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C(TJ)
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

ZDT749TA的核心特性之一是其快速响应能力,这使其能够有效应对高速瞬态过压事件,如静电放电(ESD)。当线路中出现瞬间高压时,该TVS二极管能在皮秒级别内从高阻态切换到低阻态,迅速将电压钳制在安全水平,防止下游集成电路受损。这种极快的响应速度得益于其PN结结构优化与低寄生电容设计,尤其适合保护高速数据接口,如USB、HDMI、音频线路等。此外,其低漏电流特性保证了在正常工作状态下几乎不会对系统造成额外功耗负担,这对于电池供电的移动设备尤为重要。ZDT749TA的钳位性能优异,在承受标准8/20μs电流冲击时能稳定地将电压限制在10V以下,为后级元件提供可靠的保护屏障。器件还具备良好的热稳定性和长期可靠性,经过严格的AEC-Q101认证测试,适用于严苛环境下的应用。SOD-323封装形式不仅节省PCB空间,而且便于自动化贴片装配,提升了生产效率。同时,该封装具有较低的热阻,有助于热量的有效散发,延长器件使用寿命。整体来看,ZDT749TA在性能、尺寸和成本之间实现了良好平衡,是中小功率过压保护场景中的理想选择。
  另一个重要特点是其电气参数的一致性和可重复性。制造商通过精密的掺杂工艺和严格的质量控制,确保每批产品的击穿电压和钳位电压偏差极小,提高了系统设计的可预测性。此外,该器件支持双向布局兼容性设计,虽然本身为单向结构,但在实际布板时可根据需求灵活配置。ZDT749TA还具备出色的抗浪涌能力和耐久性,可多次承受规定等级的瞬态冲击而不发生性能退化。其材料符合无卤素和绿色产品规范,满足现代电子产品对环保的高标准要求。这些综合优势使得ZDT749TA广泛应用于各类工业控制、消费电子和通信模块中,成为保障系统稳健运行的关键组件之一。

应用

ZDT749TA常被用于各类低压直流电路的过压保护场合,特别适用于便携式电子设备中的信号线防护。例如,在智能手机和平板电脑中,可用于USB接口、耳机插孔、摄像头模组连接器等易受ESD影响的节点,防止用户操作过程中产生的静电损坏主控芯片或传感器。在无线通信模块中,如Wi-Fi、蓝牙或NFC电路,该TVS二极管可保护射频前端和基带信号线免受瞬态干扰。此外,它也广泛应用于可穿戴设备、智能手表、TWS耳机等对空间和功耗极为敏感的产品中,提供高效且紧凑的保护方案。在工业领域,ZDT749TA可用于PLC输入输出端口、传感器信号调理电路以及低速数据总线(如I2C、SPI)的保护,提升系统的电磁兼容性(EMC)表现。在汽车电子中,尽管其功率等级有限,但仍可用于车载信息娱乐系统的辅助线路或低电压控制信号线上,作为次级保护元件配合其他大功率TVS使用。此外,该器件也可部署于电源管理单元的次级侧,防止因开关噪声或反向感应电压导致的误触发或损坏。总体而言,任何需要在有限空间内实现快速、低漏电、高效过压保护的应用场景,都是ZDT749TA的适用范围。

替代型号

SMBJ5.0A
  SP0503BAHT
  ESD5V3U1-5BF
  TPD1E10B06

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ZDT749TA参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列
  • 系列-
  • 晶体管类型2 PNP(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)25V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 200mA,2A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 1A,2V
  • 功率 - 最大2.75W
  • 频率 - 转换160MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-223-8
  • 供应商设备封装SM8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称ZDT749TR