时间：2025/7/14 16:02:22
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IPN60R360P7S 是英飞凌（Infineon）推出的一款高性能功率MOSFET，属于OptiMOS?系列。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）和高开关性能，适用于高效能电源转换系统，如DC-DC转换器、服务器电源、电信设备和工业应用。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压(Vds)：600V
栅极-源极电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：14A（在Tc=100℃时）
导通电阻(RDS(on))：360mΩ（典型值）
封装形式：PG-HSOF-8
IPN60R360P7S MOSFET采用了英飞凌的OptiMOS?技术，优化了导通损耗与开关损耗之间的平衡，从而提高了整体效率。
其低导通电阻（360mΩ）显著降低了在大电流下的功耗，提升了系统的热稳定性。
该器件支持高达600V的工作电压，适用于高压电源设计，同时具备良好的抗雪崩能力和过载耐受性。
IPN60R360P7S使用HSOF-8封装，尺寸紧凑，有利于节省PCB空间并实现高密度电源模块的设计。
此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并减少驱动损耗，非常适合高频开关应用。
其栅极驱动电压范围为±20V，兼容标准MOSFET驱动电路，易于集成到现有的电源系统中。
该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的可靠性和长期稳定性，适用于严苛的工业环境。
IPN60R360P7S广泛应用于各类高效率电源管理系统中，包括但不限于：
? 高频DC-DC转换器
? 服务器和电信设备的辅助电源
? 工业自动化设备中的功率控制单元
? 太阳能逆变器中的隔离式转换模块
? LED照明系统的恒流电源
? 电池充电系统及储能设备
其优异的导通与开关性能使其成为高效、小型化电源解决方案的理想选择。
IPN60R360P7, IPN60R380P7S, IPN60R450P7S
