时间：2025/12/27 17:33:41
阅读：24
932326100 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款双通道高速隔离式栅极驱动器芯片，专为驱动功率MOSFET、IGBT和宽带隙器件（如SiC和GaN）而设计。该芯片采用先进的iCoupler磁隔离技术，能够在高噪声工业环境中实现安全且可靠的信号传输。其主要目标应用包括电机控制、开关电源（SMPS）、光伏逆变器、电动汽车充电系统以及工业自动化设备中的功率转换模块。该器件集成了两个独立的隔离通道，支持高侧和低侧驱动配置，适用于半桥和全桥拓扑结构。此外，932326100具备高共模瞬态抗扰度（CMTI），可在高达±150kV/μs的快速电压变化下保持稳定运行，确保在高频开关条件下不会发生误触发。芯片采用小型化SOIC-8封装，具有优异的散热性能和空间利用率，适合对PCB面积要求严格的高密度设计。
型号：932326100
制造商：Nexperia
通道数：2
输出类型：图腾柱
峰值输出电流：4 A
供电电压（VDD1/VDD2）：2.7 V ~ 5.5 V / 15 V ~ 30 V
隔离电压：3000 VRMS（1分钟）
共模瞬态抗扰度（CMTI）：±150 kV/μs
传播延迟：55 ns（典型值）
脉冲宽度失真：≤5 ns
工作温度范围：-40 °C 至 +125 °C
封装类型：SOIC-8（宽体）
安全认证：UL 1577，CSA Component Acceptance Notice #5，VDE 0884-10（增强型隔离）
932326100 具备多项先进特性，使其成为高性能功率驱动应用的理想选择。首先，它采用了基于磁耦合的片上变压器技术，实现了输入与输出之间的电气隔离，有效防止高压侧故障传导至低压控制侧，提升系统安全性。每个通道均配备独立的逻辑输入与隔离输出，支持高达4A的峰值拉灌电流，能够快速充放电功率器件的栅极电容，显著降低开关损耗。该芯片的传播延迟极短，典型值仅为55ns，且通道间匹配良好，脉冲宽度失真小于5ns，确保上下管驱动信号精确同步，避免桥臂直通现象。
其次，932326100 具有出色的抗干扰能力，其共模瞬态抗扰度达到±150kV/μs，即使在高频硬开关或存在严重dv/dt干扰的环境中也能保持信号完整性。这对于使用碳化硅（SiC）或氮化镓（GaN）等宽禁带半导体的应用尤为重要，因为这些器件通常工作在数百kHz甚至MHz频率下，对驱动器的响应速度和稳定性提出了更高要求。
再者，该器件支持单电源供电架构，高压侧可直接由15V~30V电源供电，无需额外的负压偏置电路即可实现可靠的关断能力。同时，内部集成欠压锁定（UVLO）保护功能，在电源电压低于安全阈值时自动关闭输出，防止因供电不足导致的非饱和导通风险。此外，芯片具备良好的热稳定性与长期可靠性，符合AEC-Q100汽车级标准，适用于严苛环境下的工业及车载应用。
932326100 广泛应用于各类需要高效、可靠隔离驱动的电力电子系统中。在电机驱动领域，常用于伺服驱动器、变频器和电动工具中的三相逆变桥驱动，提供精准的PWM信号传递与强驱动能力，提升电机效率与动态响应。在新能源方面，该芯片被广泛应用于光伏并网逆变器和储能系统的DC-AC转换模块中，支持高频率开关以提高能量转换效率，并通过其高CMTI性能保障在复杂电磁环境下的稳定运行。
此外，在电动汽车相关设备中，如车载充电机（OBC）和DC-DC变换器，932326100 可用于驱动主功率桥路，满足汽车级可靠性与功能安全要求。在工业电源系统中，例如服务器电源、通信整流器和激光电源，该芯片可用于LLC谐振变换器或主动钳位反激拓扑中的同步整流或主开关驱动，帮助实现高功率密度设计。
由于其小型化封装和高集成度，932326100 还适用于空间受限但对性能要求高的嵌入式控制系统，如无人机电调、便携式医疗设备电源模块以及智能家电中的压缩机驱动单元。总之，凡是需要高速、高可靠性隔离驱动的场景，932326100 都是一个极具竞争力的选择。
Si8239
