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HBAT-5402-TR1 发布时间 时间:2025/9/24 8:28:36 查看 阅读:23

HBAT-5402-TR1是一款高性能、低功耗的电池管理集成电路(IC),专为单节锂离子或锂聚合物电池的保护与监测而设计。该器件集成了高精度电压检测、电流检测和温度监控功能,适用于便携式电子设备中的电池安全保护应用。HBAT-5402-TR1通常采用小型化的封装形式(如DFN或SOT-23),适合空间受限的应用场景,例如智能手机、可穿戴设备、蓝牙耳机、移动电源和其他电池供电系统。该芯片通过精确监测电池电压、充放电电流以及外部温度,能够在过充电、过放电、过电流、短路和过热等异常情况下及时切断电路,从而有效防止电池损坏或发生安全事故。此外,HBAT-5402-TR1具备良好的稳定性和抗干扰能力,可在宽温度范围内可靠工作,满足工业级和消费类电子产品的严苛要求。其内部集成了高精度比较器、基准电压源、逻辑控制电路和延迟定时电路,无需外部元件即可实现完整的电池保护功能,简化了系统设计并提高了整体可靠性。

参数

工作电压范围:2.0V ~ 4.8V
  过充电压检测阈值:4.35V ± 50mV
  过放电压检测阈值:2.5V ± 80mV
  过流检测电压:150mV ± 30mV
  静态电流:≤3μA(典型值)
  封装形式:DFN-6(1.6mm x 1.6mm)
  工作温度范围:-40°C ~ +85°C
  关断电流:<1nA(深度休眠模式)

特性

HBAT-5402-TR1的核心特性之一是其高精度的电压检测能力,能够准确识别电池的过充和过放状态。该芯片内置高稳定性电压参考源和精密比较器,确保在不同环境温度和长期使用条件下仍能保持稳定的检测阈值,避免误触发或漏保护。其过充电压检测点设定在4.35V左右,符合大多数锂离子电池的安全充电上限,有效防止因过度充电导致的电池膨胀、漏液甚至起火爆炸风险。同时,过放电保护功能将电池最低工作电压限制在2.5V左右,避免电池深度放电造成不可逆的容量损失或损坏。该芯片还支持自动恢复功能,在异常状况解除后可自动恢复正常工作,提升了用户体验。
  另一个重要特性是其低功耗设计。HBAT-5402-TR1在待机或监测状态下的静态电流极低(典型值不超过3μA),显著延长了电池的待机时间,特别适用于对续航能力要求高的便携式设备。在极端故障触发后进入关断模式时,电流可降至1nA以下,几乎不影响电池自放电率。此外,芯片集成了延时锁定机制,利用内部电容或时间常数设定各类保护动作的响应时间(如过流响应时间为几毫秒至几十毫秒),有效过滤瞬态干扰信号,防止误动作。
  HBAT-5402-TR1还具备多重保护机制,包括充放电过流保护、负载短路保护和温度异常保护。当检测到放电电流超过设定阈值或输出端发生短路时,芯片会迅速切断放电MOSFET,阻止大电流持续流出;而在充电过程中若检测到异常大电流,则会断开充电通路。部分版本还支持外接NTC电阻进行温度监控,实现基于温度的充放电使能控制,进一步提升安全性。整个保护逻辑由内部逻辑电路自动协调,无需主控MCU干预,提高了系统的独立性和响应速度。

应用

HBAT-5402-TR1广泛应用于各类单节锂电池供电的便携式电子产品中。典型应用场景包括无线耳机、智能手表、手环等可穿戴设备,这些产品对体积和功耗极为敏感,需要高度集成且低静态电流的保护方案。此外,它也常见于小型移动电源、蓝牙音箱、电子烟、便携式医疗设备和小型无人机等产品中,用于保障电池在各种使用条件下的安全运行。由于其封装小巧、外围简单,非常适合PCB空间有限的设计。在工业领域,该芯片可用于手持终端、POS机、传感器节点等电池供电设备,提供可靠的电池保护功能。其高可靠性和宽温工作能力也使其适用于恶劣环境下的应用。值得一提的是,HBAT-5402-TR1常与充电管理IC、电量计芯片配合使用,构成完整的电池管理系统(BMS),实现从充电控制到放电保护的全流程管理。

替代型号

DW01A-P
  HY2110
  S-8261B
  FS312F-G

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HBAT-5402-TR1产品

HBAT-5402-TR1参数

  • 数据列表HBAT-5400/02, 540B/C
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭RF 二极管
  • 系列-
  • 二极管类型肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大)30V
  • 电流 - 最大220mA
  • 电容@ Vr, F-
  • 电阻@ Vr, F-
  • 功率耗散(最大)250mW
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)