时间：2025/8/16 13:22:26
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8N80/CJPF08N80是一款功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于电源管理、开关电源（SMPS）、直流-直流转换器等高功率应用中。该器件具有高耐压和大电流承载能力，适合于需要高效能和高可靠性的系统中。8N80和CJPF08N80是同一器件的不同厂商型号，具有相似的电气特性和封装形式。
类型：N沟道MOSFET
漏极-源极电压（Vds）：800V
漏极电流（Id）：8A（25°C）
栅极-源极电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（最大值）
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装类型：TO-220、TO-252等常见功率封装
8N80/CJPF08N80具备高耐压能力，支持高达800V的漏极-源极电压，适用于高压电源系统。其8A的连续漏极电流允许在较高功率环境下运行，适用于各种功率转换器和电源适配器。
该器件的导通电阻较低，有助于减少导通损耗，提高整体能效。此外，8N80/CJPF08N80具有良好的热稳定性和高温工作能力，可在较宽的温度范围内稳定运行，适应工业级和消费类电子产品的应用需求。
栅极驱动电压范围较宽，支持常见的+10V至+20V驱动信号，便于与各种控制电路（如PWM控制器）配合使用。同时，该MOSFET具备一定的抗静电能力和短路耐受能力，提高了器件在复杂电磁环境下的可靠性。
8N80/CJPF08N80广泛应用于各类开关电源（SMPS）、LED驱动电源、电机控制、电池充电器、DC-DC转换器以及家用电器中的功率控制部分。由于其高电压和中等电流特性，该器件特别适合用于反激式电源、半桥式变换器以及AC-DC转换电路中作为主开关使用。在工业自动化和电源管理系统中，它也常用于高侧或低侧开关控制，以实现高效的能量转换和稳定的系统性能。
FQP8N80C, STF8N80, IRF8N80C
