时间：2025/8/13 23:59:09
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LUMB250 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高电流、高效率的功率转换应用。该器件采用先进的沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了整体效率。LUMB250通常用于DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：250V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：最大0.25Ω（在Vgs=10V时）
功耗（Ptot）：40W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装形式：TO-220
LUMB250 MOSFET具备多项优良特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在高电流条件下仍能保持较低的功率损耗，从而提高系统效率并减少散热需求。该器件的漏源电压（Vds）为250V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中高功率应用。
其次，LUMB250的连续漏极电流为12A，足以支持大功率负载的驱动需求，例如电机控制和开关电源中的应用。此外，该MOSFET具备±20V的栅源电压耐受能力，增强了在高压开关环境中的稳定性和可靠性。
该器件的封装形式为TO-220，具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于印刷电路板（PCB）安装，并且兼容标准的功率封装安装方式。其最大功耗为40W，在适当的散热条件下可稳定工作于高温环境中，适用于工业级应用。
最后，LUMB250的工作温度范围为-55°C至175°C，具备良好的热稳定性和环境适应性，适用于严苛的工业和汽车电子应用。
LUMB250 MOSFET广泛应用于多种功率电子系统中。在电源管理领域，它常用于DC-DC转换器、同步整流器和开关电源（SMPS）中，以实现高效率的能量转换。由于其较低的导通电阻和较高的电流承载能力，LUMB250非常适合用于高频率开关应用，有助于减小电源系统的体积并提高效率。
在电机控制方面，LUMB250可用于驱动直流电机、步进电机和无刷直流电机，尤其适用于需要高功率输出的工业自动化设备和机器人系统。其高电压和高电流能力使其能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。
此外，LUMB250也常用于电池管理系统（BMS）和充电器设计中，作为主开关元件，负责控制电池的充放电过程。在汽车电子领域，它可用于车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和电动车窗控制模块等应用。
由于其高可靠性和良好的热性能，LUMB250还适用于工业自动化、电源分配系统、LED照明驱动和不间断电源（UPS）等应用。
STP12NM250, FDPF250N10A, IRF250
