8N65 时间：2025/5/9 15:52:04 阅读：10

8N65是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关和功率放大等应用。该器件具有较低的导通电阻、快速的开关速度以及较高的电流承载能力，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等领域。
　　8N65属于高电压MOSFET系列，能够承受较高的漏源电压，同时具备良好的热稳定性和可靠性。其封装形式通常为TO-220或TO-252，便于散热和安装。

参数

最大漏源电压：650V
　　最大漏极电流：8A
　　栅源电压：±20V
　　导通电阻：3.5Ω
　　功耗：115W
　　工作温度范围：-55℃至+150℃

特性

8N65具有以下显著特点：
　　1. 高耐压性能：能够承受高达650V的漏源电压，适合高压环境下的应用。
　　2. 较低的导通电阻：在同类产品中，3.5Ω的导通电阻有助于减少传导损耗。
　　3. 快速开关速度：由于其内部结构优化，开关时间短，适合高频应用。
　　4. 良好的热稳定性：即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
　　5. 封装形式多样化：支持TO-220等多种常见封装，方便用户选择最适合的设计方案。
　　6. 高可靠性：经过严格的质量测试，适用于工业级和消费级电子产品。

应用

8N65的应用领域包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（SMPS）：作为主开关管用于AC-DC和DC-DC转换器中。
　　2. 电机驱动：控制直流电机或步进电机的速度和方向。
　　3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中用作功率开关。
　　4. 电磁阀驱动：用于工业自动化设备中的电磁阀控制。
　　5. LED驱动：提供高效的LED照明驱动解决方案。
　　6. 电池保护电路：防止过充、过放和短路等情况发生。
　　7. 其他需要高频开关和功率处理能力的场景。