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GJM1555C1H2R0WB01D 发布时间 时间:2025/7/8 21:50:00 查看 阅读:11

GJM1555C1H2R0WB01D是一款高性能的射频开关芯片,主要用于无线通信设备中信号路径的选择与切换。该器件采用先进的CMOS工艺制造,具有低插入损耗、高隔离度和卓越的线性度等特性,适用于4G/5G基站、WiFi路由器以及其他射频前端模块应用。此外,它支持宽频率范围,并且能够以极低的功耗运行,非常适合对效率和性能要求较高的系统设计。

参数

封装:QFN32
  工作电压:2.7V 至 5.5V
  最大功率处理能力:35dBm
  频率范围:50MHz 至 6GHz
  插入损耗:0.4dB(典型值)
  隔离度:35dB(最小值)
  线性度(IP3):55dBm
  静态电流:2.5mA
  关断电流:1nA

特性

GJM1555C1H2R0WB01D的主要特点包括:
  1. 高集成度设计,减少了外围元件数量并简化了电路板布局。
  2. 支持多频段操作,适应现代通信系统的复杂需求。
  3. 内置ESD保护功能,提高了整体系统的可靠性和抗干扰能力。
  4. 极低的导通电阻确保了高效的信号传输,同时降低了热损耗。
  5. 兼容多种控制逻辑电平,方便与不同平台无缝对接。
  6. 符合RoHS标准,绿色环保,适合大规模生产环境。
  这些特性使得该芯片成为射频开关应用的理想选择。

应用

该芯片广泛应用于以下领域:
  1. 4G/5G蜂窝网络基础设施中的收发信机模块。
  2. 工业物联网(IIoT)设备中的远程监控终端。
  3. WiFi 6/6E路由器及接入点的射频前端部分。
  4. 汽车雷达系统和其他毫米波传感技术。
  5. 医疗电子设备中的无损检测装置。
  GJM1555C1H2R0WB01D凭借其出色的电气性能和稳定性,在众多射频应用场合下表现出色。

替代型号

GJM1555C1H2R0WB02D, GJM1555C1H2R0WB03D

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GJM1555C1H2R0WB01D参数

  • 制造商Murata
  • 电容2 pF
  • 容差0.05 pF
  • 电压额定值50 Volts
  • 温度系数/代码C0G (NP0)
  • 外壳代码 - in0402
  • 外壳代码 - mm1005
  • 工作温度范围- 55 C to + 125 C
  • 产品High Q MLCCs
  • 封装Reel
  • 尺寸0.5 mm W x 1 mm L x 0.5 mm H
  • 封装 / 箱体0402 (1005 metric)
  • 系列GJM
  • 工厂包装数量10000
  • 端接类型SMD/SMT