时间：2025/6/19 16:43:29
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8N60L-TF2-T 是一款高性能的 N 沟道功率场效应晶体管（MOSFET），主要应用于高频开关电路和功率转换系统。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和极高的开关速度，适用于要求高效率和低损耗的应用场景。
该型号的后缀“-TF2-T”通常代表特定的封装形式或测试标准，具体应参考厂商数据手册。
最大漏源电压：600V
连续漏极电流：8A
导通电阻：1.6Ω
栅极电荷：45nC
开关时间：7ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
8N60L-TF2-T 的关键特性包括：
1. 高耐压能力：能够承受高达 600V 的漏源电压，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻：其典型导通电阻为 1.6Ω，在同级别产品中表现优异，有助于降低功率损耗。
3. 快速开关性能：开关时间为 7ns，支持高频操作，减少了开关损耗。
4. 极低的栅极电荷：仅为 45nC，提高了驱动效率。
5. 宽温范围：能够在 -55℃ 至 +150℃ 的极端环境下稳定工作，适合工业和汽车级应用。
6. 小型化设计：采用紧凑型封装，便于在空间受限的情况下使用。
8N60L-TF2-T 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的高频开关元件。
2. 电机驱动器和逆变器的功率级组件。
3. 能量存储系统中的充放电管理。
4. 工业自动化设备中的负载切换控制。
5. 电动车及混合动力车的电池管理系统。
6. LED 照明驱动电路中的高效功率转换元件。
IXTH8N60P,
STP8NK60Z,
FDP18N60,
IRF8628,
SIH8N60E
