您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > FQP20N06L

FQP20N06L 发布时间 时间:2025/6/6 8:50:01 查看 阅读:4

FQP20N06L是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产。该器件采用TO-252封装,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于各种功率转换和负载切换应用。其额定电压为60V,连续漏极电流可达20A,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。
  FQP20N06L以其出色的性能和可靠性著称,特别适合需要高效率和低损耗的应用场景。同时,其紧凑的封装形式也使其成为空间受限设计的理想选择。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:20A
  导通电阻(Rds(on)):15mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  栅极阈值电压:1.5V ~ 3.0V
  总功耗:48W
  工作结温范围:-55°C ~ +150°C
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 快速开关能力,支持高频操作,降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的耐用性和鲁棒性。
  4. 符合RoHS标准,环保且可靠。
  5. 紧凑的TO-252封装,节省PCB空间。
  6. 栅极电荷低,驱动简单且高效。
  7. 具有良好的热稳定性和电气性能,适用于严苛的工作环境。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC转换器中的功率开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化中的继电器替代方案。
  6. 消费类电子产品中的电池管理电路。
  7. LED驱动器和背光控制。
  8. 通信设备中的功率分配和调节。

替代型号

IRFZ44N
  STP20NF06
  FDP20N06L
  AO3400

FQP20N06L推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

FQP20N06L资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

FQP20N06L参数

  • 产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing
  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列QFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C55 毫欧 @ 10.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs13nC @ 5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds630pF @ 25V
  • 功率 - 最大53W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-220-3
  • 供应商设备封装TO-220
  • 包装管件