型号：85CNQ015
　　制造商：ON Semiconductor (安森美)
　　器件类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：85V
　　连续漏极电流ID：16A @ 25°C（Tc）
　　脉冲漏极电流IDM：60A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：11mΩ @ VGS=10V, ID=8A
　　导通电阻RDS(on)：14.5mΩ @ VGS=4.5V, ID=8A
　　栅极电荷Qg：37nC @ VGS=10V
　　输入电容Ciss：2080pF @ VDS=42.5V
　　开启延迟时间td(on)：15ns
　　关断延迟时间td(off)：40ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：DPAK (TO-252)

85CNQ015采用安森美先进的TrenchFET功率MOSFET工艺制造，具备出色的电气性能和可靠性。其核心优势之一是极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时典型值仅为11mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了系统效率，尤其适用于大电流应用场景。该器件在较低的栅极驱动电压下仍能保持良好性能，在VGS=4.5V时RDS(on)为14.5mΩ，使其兼容3.3V或5V逻辑电平驱动电路，增强了系统设计的灵活性。
　　该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg=37nC）和米勒电容（Crss），有助于减少开关过程中的驱动损耗和能量消耗，从而实现更高的开关频率和更小的外围元件尺寸。其输入电容Ciss为2080pF，在高频应用中有利于减小驱动电路的负担。同时，快速的开关响应能力（开启延迟15ns，关断延迟40ns）确保了在高频PWM控制中具有良好的动态响应特性，适用于高性能DC-DC变换器和同步整流拓扑。
　　85CNQ015采用DPAK封装，具有较大的散热片和优良的热传导路径，可在较高功率密度下稳定工作。该封装支持通孔安装，便于手工焊接和自动化生产，并具备良好的机械强度和长期可靠性。器件的工作结温范围宽达-55°C至+175°C，可在极端环境条件下正常运行，适用于工业和车载等严苛应用场合。此外，产品通过了AEC-Q101认证的可能性较高（需查证具体批次），进一步增强了其在汽车电子中的适用性。所有材料符合RoHS和无卤素要求，符合现代绿色制造标准。

85CNQ015广泛用于需要高效、高电流开关能力的电源系统中。典型应用包括同步降压转换器（Buck Converter），其中作为高边或低边开关使用，利用其低RDS(on)和快速开关特性来提升转换效率。在电机驱动电路中，该器件可用于H桥结构中的功率开关，驱动直流电机或步进电机，适用于电动工具、家用电器和工业自动化设备。此外，它也常用于电池管理系统（BMS）、电源逆变器、LED驱动电源以及电信设备的中间总线转换器（IBC）中。
　　在消费类电子产品中，85CNQ015可用于笔记本电脑适配器、台式机电源模块和USB-PD快充电源设计，提供高效的能量转换路径。由于其良好的热性能和紧凑封装，特别适合空间受限但散热需求较高的便携式设备电源设计。在工业控制领域，该器件可用于PLC模块、传感器供电单元和开关电源（SMPS）次级侧同步整流，以替代传统肖特基二极管，从而降低功耗并提升效率。
　　此外，该MOSFET也可用于太阳能充电控制器、无人机电源模块以及电动车辅助系统中的低压DC-DC转换器。凭借其高可靠性与宽温度范围，85CNQ015在汽车电子中的应用也在不断拓展，例如车载信息娱乐系统电源、车身控制模块和车灯驱动电路等。总之，凡是需要高效率、大电流、低损耗N沟道MOSFET的应用场景，85CNQ015都是一个极具竞争力的选择。

NTD16N08CR2G
　　FQP16N08