SESD20C是一种高性能的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管),用于保护敏感的电子电路免受过电压威胁。它具有快速响应时间和低电容特性,非常适合高速数据线和射频应用中的静电放电(ESD)防护。
该器件采用小尺寸封装,能够承受多次重复的ESD冲击,并保持稳定的性能。SESD20C广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域。
类型:双向TVS二极管
峰值脉冲功率:400W(10/1000μs)
击穿电压:20V
最大反向工作电压:15.8V
最大箝位电压:30.8V
结电容:12pF(典型值)
响应时间:小于1ps
额定电流:1A
封装形式:SOD-323
SESD20C具备以下显著特性:
1. 快速响应时间,能够有效抑制瞬态过电压。
2. 低电容设计,适合高速信号线路。
3. 高度可靠的ESD防护能力,符合IEC 61000-4-2标准(±30kV接触放电)。
4. 小型化封装,节省PCB空间。
5. 单向和双向可选,灵活适应不同应用场景。
6. 稳定的工作特性和长寿命,能够在恶劣环境下长期使用。
7. 符合RoHS环保标准,无铅设计。
SESD20C广泛应用于以下场景:
1. 高速数据接口保护,如USB、HDMI、以太网等。
2. 移动设备中的天线保护,如手机、平板电脑。
3. 射频模块中的ESD防护,例如Wi-Fi、蓝牙模块。
4. 工业自动化设备中的信号线路保护。
5. 汽车电子系统中的瞬态电压抑制。
6. 通信设备中的过压保护,如路由器、交换机。
PESD20CA, SMAJ20A, SMIT20A