时间：2025/6/20 23:16:57
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TLD1120EL是一种高性能的N沟道逻辑电平MOSFET，专为低电压应用而设计。它具有极低的导通电阻和快速开关速度，适用于需要高效能和高频率操作的电路中。
该器件采用小型化的封装技术，能够有效节省PCB空间，同时具备出色的散热性能。由于其较低的栅极驱动电压要求，非常适合与现代低电压逻辑电路配合使用。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±12V
连续漏极电流(Id)：45A
导通电阻(Rds(on))：3.6mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：8nC
总电容(Ciss)：1090pF
工作结温范围(Tj)：-55℃至+175℃
1. 极低的导通电阻，有助于减少传导损耗并提高效率。
2. 支持高达1MHz的开关频率，满足高频应用需求。
3. 低栅极电荷设计，降低驱动功耗。
4. 小型化封装，节省空间且易于安装。
5. 高度可靠的电气性能和机械性能，确保长期稳定运行。
6. 符合RoHS标准，环保无铅工艺。
TLD1120EL广泛应用于各类电源管理场景，包括但不限于：
1. 开关模式电源(SMPS)中的同步整流器。
2. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的H桥或半桥配置。
4. 电池保护电路及负载切换控制。
5. 可再生能源系统如太阳能逆变器中的功率转换模块。
TLD1120E, TLD1120EP, IRF1120, FDMC1120
