类型：N沟道结型场效应晶体管（JFET）
　　封装形式：TO-92 或类似三引脚塑料封装
　　最大漏源电压（Vds）：25V
　　最大栅源电压（Vgs）：-25V
　　最大漏极电流（Id）：50mA
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　跨导（Gm）：约4000 μS（微西门子）
　　截止频率（ft）：约100MHz
　　输入电容（Ciss）：约5pF
　　输出电容（Coss）：约3pF
　　反向传输电容（Crss）：约1.5pF
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +175°C

81N26J 作为一款 N 沟道结型场效应晶体管，在模拟电路设计中展现出多项优异性能。首先，其高输入阻抗特性是 JFET 结构的核心优势之一。由于栅极与沟道之间形成的是反向偏置的 PN 结，正常工作状态下几乎没有栅极电流流入，这使得器件能够实现极高的输入阻抗（通常可达 10^9 Ω 以上），从而有效减少对前级信号源的负载效应，特别适用于微弱信号采集和高阻抗传感器接口电路。
　　其次，81N26J 具备较低的噪声系数，尤其是在低频段（如音频范围）表现突出。相比于双极型晶体管（BJT），JFET 的主要载流子为多数载流子导电机制，避免了少数载流子复合引起的散粒噪声和闪烁噪声，因此在前置放大器、麦克风前置级、生物电信号放大（如心电图 ECG）等对信噪比要求较高的场合中更具优势。此外，该器件具备良好的跨导线性度，在适当的偏置条件下可提供较为平坦的增益响应，有助于提升整体系统的线性性能。
　　再者，81N26J 拥有较好的温度稳定性。由于其阈值电压（即夹断电压 Vp）随温度的变化较小，并且具有负温度系数，能够在一定程度上抑制热失控现象的发生，提高了电路工作的可靠性。同时，该器件支持自偏置配置，无需复杂的外部偏置网络即可建立稳定的工作点，简化了电路设计流程，降低了元件数量和成本。这对于便携式设备或空间受限的应用尤为重要。
　　最后，该器件的小型化封装便于集成到紧凑型 PCB 设计中，配合其低功耗特性（典型静态电流低于 10mA），非常适合电池供电系统或长期运行的监测设备。虽然其驱动能力不如功率 MOSFET 或 BJT 强，但在小信号处理领域仍具有不可替代的地位。

81N26J 主要应用于需要高输入阻抗、低噪声和良好线性度的模拟信号处理场景。在音频电子领域，它常被用作前置放大器的核心元件，特别是在吉他效果器、话筒前置放大器和高保真音响系统中，利用其低失真和自然音色特性来增强声音还原质量。此外，在精密测量仪器中，例如示波器、信号发生器和数字万用表的输入缓冲级，81N26J 能够有效隔离后续电路对原始信号的影响，确保测量精度。
　　在传感器信号调理方面，该器件适用于光敏电阻、压电传感器、热电偶等高输出阻抗传感器的接口电路，能够将微弱信号进行初步放大而不引入显著干扰。在通信系统中，81N26J 可用于射频前端的小信号放大或混频器结构中的有源元件，尤其在 VHF 频段以下的应用中表现良好。此外，由于其良好的直流特性和温度稳定性，也被用于恒流源电路、有源负载设计以及模拟开关等非放大类功能电路中。
　　教育实验平台和电子爱好者项目也广泛采用此类 JFET 器件进行基础模拟电路教学，如共源放大电路、源极跟随器（电压缓冲器）等经典拓扑结构的搭建与分析。综上所述，81N26J 尽管不属于高性能专用器件，但凭借其均衡的技术指标和易于使用的特性，在多种中小型模拟系统中仍具有重要价值。

2N5457
　　J201
　　BFW10
　　MPF102
　　U310