H5TQ1G43AFP-G7C 时间：2025/9/2 4:28:16 阅读：7

H5TQ1G43AFP-G7C 是由SK Hynix（海力士）公司生产的一款DRAM（动态随机存取存储器）芯片，属于高密度、高性能的DRAM存储器系列。该芯片广泛用于需要大容量内存的设备，例如个人电脑、服务器、嵌入式系统、图形处理单元（GPU）等。这款DRAM芯片采用了先进的制造工艺，提供了较高的数据传输速率和较低的功耗，适用于对性能和能效有较高要求的应用场景。

参数

存储容量：1Gb（128MB）
　　组织结构：x4、x8、x16
　　工作电压：1.8V至3.3V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数量：54-pin
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据速率：166MHz
　　内存类型：异步DRAM

特性

H5TQ1G43AFP-G7C 具备多项优异特性，首先其异步DRAM架构设计使其适用于各种不同需求的系统环境，同时支持多种组织结构（x4、x8、x16），提供灵活的配置选项，适应不同的数据宽度需求。此外，该芯片的高速数据访问能力（166MHz数据速率和5.4ns访问时间）使其能够满足对性能要求较高的应用，例如图像处理、工业控制和网络设备。
　　该芯片的宽电压范围（1.8V至3.3V）使其兼容多种电源供应方案，增强了其在不同电路设计中的适用性。在功耗方面，H5TQ1G43AFP-G7C 在高性能操作下依然保持较低的能耗，有助于提升设备的能效，减少散热压力。
　　采用TSOP（Thin Small Outline Package）封装技术，使得该芯片具有较小的体积和较高的封装可靠性，适用于高密度PCB布局。此外，其工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在工业级环境中稳定运行，适用于各种严苛的使用条件。