时间：2025/9/8 15:06:28
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80USG8200MEFCSN35X45是一款由知名半导体制造商设计的功率MOSFET器件，广泛应用于高功率和高频开关场合。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供低导通电阻（Rds(on)）和快速开关性能，适合用于电源管理、DC-DC转换器、电机驱动和电池管理系统等领域。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：80V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：200A（Tc=25℃）
功耗（Pd）：200W
工作温度范围：-55℃ ~ +175℃
封装类型：TO-247
导通电阻（Rds(on)）：最大值3.5mΩ（在Vgs=10V时）
阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
输入电容（Ciss）：约5000pF
反向恢复时间（trr）：约50ns
80USG8200MEFCSN35X45 MOSFET采用了先进的沟槽技术，使得导通电阻显著降低，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。其高电流承载能力（高达200A）使其非常适合用于高功率应用。此外，该器件具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定工作。
该MOSFET具备较高的栅极绝缘能力，支持高达±20V的栅源电压，这提高了其在高压应用中的可靠性。其快速开关特性（低Qg和Qgd电荷）有助于减少开关损耗，从而提升整体系统的能效。
此外，该器件的封装形式为TO-247，具备良好的散热性能，适合在高功率密度设计中使用。其高雪崩能量耐受能力也增强了其在高应力环境下的可靠性。
80USG8200MEFCSN35X45 MOSFET适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：电源转换器（如DC-DC转换器和AC-DC电源模块）、电动车辆的电池管理系统、电机驱动器、工业自动化设备、高功率LED照明驱动以及太阳能逆变器等。由于其低导通电阻和高电流容量，该器件在需要高效能和高可靠性的应用中表现尤为出色。
SiHF80N200E（Siliconix）、FDP80N200（Fairchild）、IXFN200N80（IXYS）
