时间：2025/5/22 12:09:55
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FSD210是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的场景。该器件采用了先进的DMOS工艺制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提高系统的效率和可靠性。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：27A
导通电阻（典型值）：5.5mΩ
总功耗：145W
结温范围：-55℃ to 150℃
FSD210具有较低的导通电阻，可有效减少导通损耗，从而提升系统效率。此外，它还具备较高的雪崩击穿能量能力，增强了在过载条件下的可靠性。器件封装为TO-220，散热性能优越，适合高功率应用环境。
该器件的开关速度快，输入电容小，有助于降低开关损耗，并且可以与逻辑电路直接接口，简化了驱动电路设计。同时，其反向恢复时间短，非常适合高频开关应用。
FSD210主要应用于直流-直流转换器、电动工具、家用电器、汽车电子以及工业控制等领域。在这些领域中，它通常被用作同步整流器、负载开关或电机控制器中的关键元件。由于其出色的电气性能和热性能，这款MOSFET能够在严苛的工作条件下保持稳定运行。
FDP18N06L, IRFZ44N, STP20NF06
