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IRLML5203GTRPBF 发布时间 时间:2025/5/20 19:05:33 查看 阅读:2

IRLML5203GTRPBF 是一款由英飞凌(Infineon)制造的 N 沤道增强型功率 MOSFET。该器件采用了先进的沟槽式技术,具有极低的导通电阻和出色的开关性能,适用于高效率、高频应用场合。
  这种型号的 MOSFET 主要用于便携式设备、负载切换、DC-DC 转换器、电源管理模块以及电池供电设备等场景。由于其小型化的封装设计和高效的性能参数,IRLML5203GTRPBF 在消费类电子和工业应用领域得到了广泛应用。

参数

最大漏源电压:20V
  最大栅源电压:±10V
  连续漏极电流:4.6A
  导通电阻(典型值,Vgs=10V):7.5mΩ
  导通电阻(最大值,Vgs=10V):9mΩ
  栅极电荷:4nC
  反向恢复时间:28ns
  工作温度范围:-55℃ to +150℃
  封装形式:SOT-23

特性

IRLML5203GTRPBF 的主要特点包括超低导通电阻,这使其能够在高电流应用中减少功耗并提高整体系统效率。此外,它具备快速开关能力,支持高频操作,并能有效降低电磁干扰(EMI)。
  器件的 SOT-23 封装提供较小的占板面积,非常适合空间受限的设计环境。同时,其较高的工作温度范围确保了在极端条件下的可靠性。另外,IRLML5203GTRPBF 还具有低输入电容和低输出电容,进一步优化了开关速度和效率。
  此外,这款 MOSFET 符合 RoHS 标准,满足环保要求,适合各种现代绿色能源解决方案。

应用

IRLML5203GTRPBF 广泛应用于以下领域:
  1. 手机和平板电脑中的 DC-DC 转换电路。
  2. USB 充电器及适配器内的同步整流电路。
  3. 电池管理系统,如锂电池保护电路。
  4. 负载开关,用以控制多个负载间的切换。
  5. 高效节能的 LED 驱动电路。
  6. 工业自动化控制中的小型驱动器。
  这些应用都依赖于 IRLML5203GTRPBF 提供的高效能量转换能力和紧凑的设计方案。

替代型号

IRLML6244TRPBF, IRLML6344TRPBF

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IRLML5203GTRPBF参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C98 毫欧 @ 3A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds510pF @ 25V
  • 功率 - 最大1.25W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装Micro3?/SOT-23
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称IRLML5203GTRPBF-NDIRLML5203GTRPBFTR