类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：220V
　　漏极电流(Id)：80A
　　导通电阻(Rds(on))：18mΩ @ Vgs=10V
　　栅极电压(Vgs)：±20V
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装类型：PowerFLAT 5x6
　　功率耗散(Pd)：300W

80USC1800MMN22X30 的主要特性包括极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高能效；其高耐压能力（220V）使其适用于中高功率应用。该MOSFET采用先进的STripFET? F7技术，结合优化的封装设计，确保了良好的热管理和电流处理能力。此外，该器件的栅极结构设计使其能够承受较高的dv/dt应力，增强了在高频开关应用中的稳定性。
　　另一项重要特性是其出色的短路耐受能力，这使得80USC1800MMN22X30在电机驱动或功率转换器等可能出现瞬态过载的场合中表现优异。该器件的封装形式为PowerFLAT 5x6，具有较小的封装尺寸和良好的热性能，适合用于空间受限的设计。此外，其栅极驱动要求较低，支持10V标准驱动电压，便于与常见的栅极驱动IC配合使用。

80USC1800MMN22X30 广泛应用于多种高功率电子系统，包括但不限于工业电源、DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、太阳能逆变器以及电动汽车充电系统等。在服务器电源或电信设备中，该MOSFET可用于同步整流器拓扑，以提高整体能效。在电机控制领域，其高电流能力和低Rds(on)使其成为高性能H桥驱动的理想选择。
　　此外，在电动车和储能系统中，该器件可以用于电池保护电路或高功率负载开关，实现快速响应和低损耗的功率控制。由于其优异的热管理和高频开关能力，它也适用于谐振转换器和LLC拓扑结构。在工业自动化和机器人系统中，该MOSFET可用于高精度伺服驱动器和负载切换模块。

STL80N220-18M7AG, IPW60R017C7, STD80N220-18M7