Q8004R4 时间：2025/12/28 12:49:57 阅读：22

Q8004R4 是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流和高效率应用而设计，广泛应用于电源管理、电机控制、开关电源（SMPS）、电池充电器、DC-DC转换器等电力电子系统中。Q8004R4采用先进的平面条形FET技术，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性。其封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于多种工业和消费类电子设备。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：75A
　　最大漏-源电压（VDS）：60V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大4mΩ（在VGS=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：典型值为180nC
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散（PD）：200W

特性

Q8004R4具有多项优异的电气和热性能特性。首先，其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率，并减少了散热需求。该特性对于高电流应用尤为重要，可有效降低温升并提升系统可靠性。
　　其次，该MOSFET具备较高的最大漏极电流能力（75A），适用于高功率负载的开关控制。其60V的漏-源击穿电压也适用于中低电压功率系统，如12V至48V电源转换应用。
　　此外，Q8004R4的栅极电荷（Qg）较低，有助于提高开关速度，从而减少开关损耗，适用于高频开关应用。其±20V的栅极电压耐受能力提供了较好的栅极驱动兼容性，支持多种驱动电路设计。
　　该器件采用TO-220封装，具有良好的散热性能，适用于需要良好热管理的场合。其宽工作温度范围（-55°C至175°C）使其适用于各种恶劣环境，包括工业控制和车载应用。
　　最后，Q8004R4符合RoHS环保标准，无铅封装，符合现代电子产品的环保要求。