您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > 80N10

80N10 发布时间 时间:2025/7/22 14:52:21 查看 阅读:10

80N10是一种功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛用于高电流和高电压的应用中。这种MOSFET通常用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。80N10具有高耐压和大电流承载能力,能够提供高效的功率转换。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流:80A
  最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻:通常在10mΩ左右
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

80N10 MOSFET具有低导通电阻,能够在高电流条件下提供较低的功率损耗。它的高耐压特性使其适用于高电压应用。此外,80N10具有快速开关特性,适用于高频开关应用。这种MOSFET的封装通常为TO-220或TO-247,便于散热和安装。
  80N10还具有良好的热稳定性和可靠性,能够在恶劣的工作环境中保持性能稳定。其栅极驱动电压范围较宽,适合多种驱动电路设计。

应用

80N10常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统和功率因数校正(PFC)电路中。由于其高电流和高电压特性,也适用于工业控制和电源管理系统。

替代型号

IRF1405, STP80NF06, FDP80N10

80N10推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价