时间：2025/7/22 14:52:21
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80N10是一种功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高电流和高电压的应用中。这种MOSFET通常用于开关电源、DC-DC转换器和电机控制等应用。80N10具有高耐压和大电流承载能力，能够提供高效的功率转换。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流：80A
最大漏源电压：100V
最大栅源电压：±20V
导通电阻：通常在10mΩ左右
工作温度范围：-55°C至175°C
80N10 MOSFET具有低导通电阻，能够在高电流条件下提供较低的功率损耗。它的高耐压特性使其适用于高电压应用。此外，80N10具有快速开关特性，适用于高频开关应用。这种MOSFET的封装通常为TO-220或TO-247，便于散热和安装。
80N10还具有良好的热稳定性和可靠性，能够在恶劣的工作环境中保持性能稳定。其栅极驱动电压范围较宽，适合多种驱动电路设计。
80N10常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动电路、电池管理系统和功率因数校正（PFC）电路中。由于其高电流和高电压特性，也适用于工业控制和电源管理系统。
IRF1405, STP80NF06, FDP80N10
