TGA4542 时间：2025/8/16 4:03:23 阅读：4

TGA4542 是一款由 TriQuint（现为 Qorvo）制造的高功率 GaN（氮化镓）场效应晶体管（FET），主要用于射频（RF）功率放大应用。该器件设计用于在高频率下工作，适用于无线基础设施、基站、雷达和测试设备等高要求的应用环境。TGA4542 具有高效率、高线性度和高可靠性，能够在高功率水平下稳定运行。

参数

类型：GaN FET
　　频率范围：2 GHz - 6 GHz
　　输出功率：50 W（典型值）
　　漏极电压（Vd）：28 V
　　漏极电流（Id）：150 mA（典型值）
　　增益：12 dB（典型值）
　　效率：>60%
　　封装类型：螺栓安装法兰封装
　　输入和输出阻抗：50Ω
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

TGA4542 是一款高性能的 GaN 射频功率晶体管，具有出色的功率密度和热性能，能够在高频率下提供稳定的高功率输出。其 GaN 技术确保了高效率和优异的线性度，使其适用于多载波通信系统和高线性要求的放大器设计。该器件采用螺栓安装法兰封装，便于散热，能够在高温环境下保持稳定性能。TGA4542 还具备高耐用性和良好的失配容差，能够在负载变化较大的情况下保持可靠运行。其设计支持宽频率范围操作，适用于多种射频应用，包括蜂窝基站、军事通信和射频测试设备。
　　TGA4542 的封装形式确保了良好的机械稳定性和射频连接性能，适合高振动环境下的应用。此外，该器件具有良好的长期可靠性，适用于需要高可用性和低维护成本的系统设计。