时间：2025/7/11 13:14:58
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FP31X474K500EPG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器和其他需要高效功率转换的场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，从而能够显著降低功耗并提高系统效率。
该芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，支持较高的连续漏极电流和耐压能力，适合用于工业级和消费级电子产品中。
最大漏源电压：500V
连续漏极电流：12A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：65nC
开关速度：超高速
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
FP31X474K500EPG 的主要特性包括以下几点：
1. 高耐压能力，能够承受高达 500V 的漏源电压，适用于高压应用环境。
2. 极低的导通电阻 (0.18Ω)，有效减少功率损耗，提升系统效率。
3. 快速开关性能，具备较小的栅极电荷 (65nC)，确保高频应用中的低开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，使其能够在极端环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
FP31X474K500EPG 主要应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的功率转换模块。
2. 电机驱动电路，用于控制直流无刷电机或步进电机。
3. 太阳能逆变器中的功率调节部分。
4. 各类工业设备中的高压开关电路。
5. 汽车电子系统中的负载控制和保护电路。
FP31X474K500TSG, IRF540N, FQP17N50
