时间：2025/9/1 15:48:05
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IS43TR81280C-125JBLI是一款由ISSI（Integrated Silicon Solution, Inc.）制造的高性能、低功耗异步静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件设计用于需要高速数据访问的应用，例如网络设备、工业控制系统、通信设备和高端嵌入式系统。IS43TR81280C-125JBLI具有512K x 8位的存储容量，采用标准异步接口，提供快速的数据读取和写入能力。
容量：512K x 8位
组织方式：512K地址 x 8位
电源电压：2.3V 至 3.6V
最大访问时间：12ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54引脚TSOP（Thin Small Outline Package）
输入/输出接口：TTL兼容
工作模式：异步读写操作
最大读取电流：120mA（典型值）
最大待机电流：10mA（典型值）
IS43TR81280C-125JBLI SRAM芯片具备多项高性能和可靠性特征，使其适用于广泛的工业和通信应用。其主要特性包括高速访问能力，最大访问时间仅为12ns，确保了快速的数据处理能力。芯片支持TTL电平输入，与多种微处理器和控制器兼容，简化了系统设计。该器件采用低功耗设计，在待机模式下仅消耗极小的电流，有助于提高系统的能效。此外，它支持宽电压范围（2.3V至3.6V），增强了在不同电源条件下的适应性。封装方面，采用54引脚TSOP封装，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，适合高密度PCB布局。该芯片还支持工业级工作温度范围（-40°C至+85°C），适用于恶劣环境条件下的稳定运行。
IS43TR81280C-125JBLI广泛应用于需要高速、低功耗和高稳定性的系统中，如路由器和交换机中的缓存存储器、工业控制设备的数据缓冲、通信基站的临时数据存储、嵌入式系统中的程序和数据存储、医疗设备中的临时数据缓存以及测试设备和测量仪器的高速数据处理单元。
IS42S16800B-125MA 、IS43S16800B-125MA 、CY62148EVLL-45ZE3 、AS7C34098A-12TC 、IDT71V416S12PHG
