FDD2741B 时间：2025/8/24 18:17:20 阅读：4

FDD2741B 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率电源转换和功率管理应用设计，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力，适合用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统等场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：60A
　　导通电阻（Rds(on)）：@4.5V Vgs，典型值为 4.5mΩ
　　功率耗散（Pd）：120W
　　工作温度范围：-55°C ~ 175°C
　　封装形式：PowerTrench?

特性

FDD2741B 具备一系列高性能特性，适用于现代电源管理系统的严苛要求。其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，提高了电源转换效率。该器件采用了先进的 PowerTrench? 封装技术，优化了热性能，使得在高电流应用中能够有效散热。
　　此外，FDD2741B 的栅极驱动电压范围宽泛（可支持 4.5V 至 20V），使其适用于多种驱动电路设计，包括使用 PWM 控制器或专用驱动 IC 的应用。该 MOSFET 还具备良好的抗雪崩击穿能力，提高了系统在异常工况下的可靠性。
　　在结构设计上，该器件采用了优化的硅片布局和封装设计，降低了寄生电感，有助于减少开关损耗并提高系统的稳定性。此外，FDD2741B 在高频开关应用中表现出色，适用于高频率 DC-DC 转换器和同步整流器等场景。

应用

FDD2741B 主要应用于各类高功率密度和高效率电源系统中，包括但不限于：同步整流式开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及高功率 LED 驱动电路。其优异的导通特性和高频性能使其特别适合于需要高效能和紧凑设计的电源系统。
　　在服务器电源、电信电源、汽车电子、工业控制设备以及便携式充电设备中，FDD2741B 都能够提供稳定可靠的功率控制能力。