型号：80N08G-TQ2-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：80 V
　　最大连续漏极电流（ID）：80 A（在TC = 25°C时）
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：320 A
　　最大栅源电压（VGS）：±20 V
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值2.1 V，范围1.5 ~ 2.5 V
　　导通电阻RDS(on)：典型值4.5 mΩ（在VGS = 10 V，ID = 40 A时）
　　输入电容（Ciss）：典型值2970 pF（在VDS = 40 V，VGS = 0 V，f = 1 MHz时）
　　输出电容（Coss）：典型值960 pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值35 ns
　　工作结温范围（Tj）：-55 °C 至 +175 °C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　通道数：单通道
　　功耗（PD）：58 W（在TA = 25°C时）

80N08G-TQ2-R采用Vishay先进的沟槽式MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻与优异的开关性能之间的平衡。其核心优势在于低RDS(on)，这显著降低了导通状态下的功率损耗，尤其在大电流应用中表现突出。该器件在VGS = 10 V时，RDS(on)仅为4.5 mΩ，这意味着即使在高负载条件下也能保持较低的温升，有助于提升系统能效并减少散热设计复杂度。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这使得它在高频开关应用中能够快速开启和关断，有效降低开关损耗，适用于高频率工作的DC-DC变换器和同步整流拓扑。
　　该器件的封装为PowerPAK SO-8L，相较于传统SO-8封装，具有更低的热阻和更高的电流承载能力。其底部带有暴露焊盘，可通过PCB良好接地并实现高效散热，极大地提升了热稳定性与长期可靠性。此外，该封装还优化了寄生电感，有助于减少开关过程中的电压振铃现象，提高EMI性能。
　　80N08G-TQ2-R具备良好的热稳定性和鲁棒性，可在-55°C至+175°C的宽结温范围内稳定工作，适用于严苛环境下的工业控制、汽车电子和通信设备。器件还具备较强的雪崩耐量，能够在瞬态过压或电感负载切换时提供一定的自我保护能力。其栅源电压额定值为±20 V，提供了足够的驱动裕度，兼容常见的驱动IC输出电平。同时，该器件对静电敏感等级为HBM 2 kV，需在生产过程中采取适当的ESD防护措施。

80N08G-TQ2-R广泛应用于各类需要高效功率开关的电子系统中。典型应用场景包括同步降压转换器和异步降压转换器中的主开关或同步整流管，尤其适用于服务器电源、笔记本电脑适配器、电信电源模块等高密度电源设计。在电池供电系统中，如电动工具、无人机和便携式医疗设备，该器件可用于电池管理系统的负载开关或电机驱动电路，凭借其低导通电阻减少能量损耗，延长续航时间。
　　在电机控制领域，80N08G-TQ2-R可用于H桥驱动电路中的低端或高端开关元件，适用于小型直流电机或步进电机的驱动。其快速开关特性和低Qgd有助于减少交叉导通风险，提升控制精度。此外，在LED驱动电源中，该MOSFET可作为恒流调节开关使用，确保LED亮度稳定且高效运行。
　　由于其优良的热性能和紧凑封装，该器件也适合用于空间受限的消费类电子产品，如智能手机充电管理模块、平板电脑电源管理单元等。在汽车电子中，可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器或车身控制模块中的功率开关，满足AEC-Q101可靠性标准的部分应用场景需求。总之，凡是对效率、尺寸和热性能有较高要求的中压功率开关场合，80N08G-TQ2-R都是一个极具竞争力的选择。

[
　　 "80N08GS",
　　 "SiHH80N8T",
　　 "IRLHS80N8-7P",
　　 "AOZ80N8"
　　]