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SI4174DY-T1-GE3 发布时间 时间:2025/6/3 16:26:34 查看 阅读:6

SI4174DY-T1-GE3 是一款由 Silicon Labs 公司生产的高性能射频 CMOS 功率放大器,专为蓝牙低功耗 (BLE) 和其他短距离无线通信应用而设计。该器件支持 2.4 GHz ISM 频段,并提供高线性度和高效率的输出功率,非常适合用于物联网设备、智能家居产品以及可穿戴设备等应用场景。
  SI4174DY-T1-GE3 采用紧凑型封装,简化了 PCB 设计并降低了整体解决方案的成本。其内置匹配网络减少了外部元件数量,从而进一步优化了空间利用率。

参数

工作频率:2400 MHz 至 2500 MHz
  输出功率:+10 dBm
  电源电压:1.8 V 至 3.6 V
  静态电流:23 mA(典型值)
  关断电流:1 μA(最大值)
  增益:13 dB(典型值)
  回波损耗:-10 dB(最小值)
  封装类型:MLP 4x4
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C

特性

1. 高效能:
  SI4174DY-T1-GE3 提供高达 +10 dBm 的输出功率,同时保持较低的功耗,非常适合电池供电的设备。
  2. 高集成度:
  该器件集成了输出匹配网络和直流阻断电容,减少了外部组件的需求,从而简化了设计流程。
  3. 广泛的工作电压:
  支持 1.8 V 至 3.6 V 的宽范围电源电压,增强了其在不同应用场景中的适用性。
  4. 小型化封装:
  采用 MLP 4x4 封装形式,具有极小的尺寸,便于嵌入小型化的产品中。
  5. 稳定性能:
  具备良好的线性度和低失真特性,确保信号传输质量。

应用

1. 蓝牙低功耗 (BLE) 模块:
  适用于各种 BLE 应用场景,如信标、传感器节点和远程控制。
  2. 物联网 (IoT) 设备:
  广泛应用于智能家居、工业自动化和医疗监测等领域。
  3. 可穿戴设备:
  包括智能手表、健身追踪器和其他便携式电子产品。
  4. 无线音频传输:
  可用于无线耳机、扬声器和其他音频相关设备。
  5. RFID 和 Zigbee 系统:
  在这些短距离无线通信系统中发挥重要作用。

替代型号

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SI4174DY-T1-GE3参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs27nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds985pF @ 15V
  • 功率 - 最大5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SOICN
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI4174DY-T1-GE3-NDSI4174DY-T1-GE3TR