80MXC8200M35X50 是一款由 Micron(美光)公司生产的 DRAM(动态随机存取存储器)芯片,属于其低功耗 DDR4(LPDDR4)产品系列。该芯片专为高带宽、低功耗应用场景设计,适用于移动设备、嵌入式系统、高性能计算模块等需要高效内存管理的领域。其容量为8GB,采用多芯片封装(MCP)技术,将多个DRAM芯片集成在一个封装内,从而节省PCB空间并提高集成度。
容量:8GB
电压:1.1V / 1.5V
接口类型:LPDDR4
时钟频率:3200Mbps
封装类型:FBGA
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
封装尺寸:12x12mm
数据宽度:16位
80MXC8200M35X50 的核心特性之一是其 LPDDR4 接口,支持高达 3200Mbps 的数据传输速率,提供出色的内存带宽,适用于高性能计算需求。该芯片采用先进的DRAM工艺制造,具备低功耗特性,适合电池供电设备的使用。此外,其多芯片封装(MCP)设计不仅节省了电路板空间,还增强了系统的整体稳定性。
该芯片还支持多种节能模式,如深度掉电模式、自刷新模式和预充电节能模式,以优化系统在不同工作状态下的功耗。其支持的温度范围为-40°C至+85°C,确保在各种环境条件下稳定运行,适用于工业级和车载级应用场景。
80MXC8200M35X50 主要用于需要高性能与低功耗内存的设备,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费电子产品。此外,它也广泛应用于嵌入式系统、物联网(IoT)设备、汽车电子系统(如车载信息娱乐系统)、工业控制设备以及边缘计算模块等高性能要求的领域。其高集成度和低功耗特性使其成为对空间和能耗敏感的应用的理想选择。
MT53B8G32A2DP4-046:M48A