容量：128Mb（16MB）
　　组织结构：x16
　　工作电压：2.3V - 3.6V
　　访问时间：5.4ns（最大）
　　读取时间：5.4ns
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：54
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）

80MXC1800M25X30 是一款高性能异步SRAM（静态随机存取存储器），专为需要高速数据存取和可靠性的工业与通信应用而设计。该芯片采用先进的CMOS技术制造，具备低功耗和高速访问能力，适用于对实时性要求较高的系统。
　　首先，80MXC1800M25X30 的访问时间仅为5.4ns，这意味着它可以支持非常快速的读写操作，从而提高系统的整体响应速度。这种高速特性使其特别适合用于网络交换设备、工业控制模块、测试仪器等对数据处理速度敏感的应用场景。
　　其次，该芯片的工作电压范围为2.3V至3.6V，提供了良好的电压兼容性，适用于多种电源管理系统。此外，其CMOS工艺在保持高速的同时，还具备较低的功耗特性，有助于减少系统热量积累并提高能效。
　　封装方面，该芯片采用54引脚TSOP（薄型小外形封装），这种封装形式具有良好的电气性能和散热能力，同时适用于表面贴装工艺，便于自动化生产与组装。
　　80MXC1800M25X30 还具备工业级的工作温度范围（-40°C 至 +85°C），能够在较为严苛的环境条件下稳定运行，适用于户外设备、工业控制系统、车载电子等应用场景。
　　此外，该芯片的异步接口设计使其能够灵活地与多种控制器和处理器配合使用，无需严格的时钟同步机制，简化了系统设计并降低了开发复杂度。

80MXC1800M25X30 主要应用于需要高速数据缓冲和临时存储的场合，如网络路由器和交换机中的数据缓存、工业控制系统的高速数据采集与处理、测试与测量设备的临时数据存储、嵌入式系统的高速缓存区等。由于其高速访问能力和宽工作温度范围，该芯片也非常适合用于车载电子设备、航空航天设备、医疗成像系统等高可靠性要求的行业。

IDT71V128L10PFGI, ISSI IS61LV128AL10T4I, Cypress CY7C1288BV18-10ZSAXI