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FM43X274K501EGG 发布时间 时间:2025/6/19 10:43:10 查看 阅读:3

FM43X274K501EGG是一款基于FRAM(铁电随机存取存储器)技术的非易失性存储芯片,由富士通(Fujitsu)生产。FRAM结合了RAM的高速读写性能和Flash的非易失性特点,具有低功耗、高耐久性和快速写入的优势。
  该芯片主要应用于需要频繁数据记录、实时保存或低功耗运行的场景,例如工业自动化、医疗设备、智能仪表和物联网终端等。

参数

容量:256Kb
  接口类型:SPI
  工作电压:1.8V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:SOP-8
  数据保留时间:超过10年
  写入次数:超过10^12次

特性

FM43X274K501EGG采用了FRAM技术,具有以下显著特点:
  1. 高速写入:相比EEPROM和Flash,FRAM无需等待擦除周期即可直接写入数据,速度更快。
  2. 超低功耗:在写入操作时消耗的能量远低于传统非易失性存储器,非常适合电池供电设备。
  3. 高耐用性:支持高达10^12次写入/擦除周期,适合需要频繁更新数据的应用。
  4. 非易失性:断电后仍能保持数据完整,无需额外电源维持内容。
  5. 小尺寸封装:采用SOP-8封装,便于在紧凑型设计中使用。
  6. 宽工作电压范围:支持1.8V到3.6V的工作电压,适应多种供电环境。

应用

这款芯片适用于对数据可靠性要求较高的场景,典型应用包括:
  1. 工业控制中的数据日志记录,如PLC和HMI设备。
  2. 医疗设备中的患者数据存储,如血糖仪和心率监测仪。
  3. 智能仪表的数据备份,如水表、电表和燃气表。
  4. 物联网终端节点的数据暂存与上传功能。
  5. RFID标签及传感器网络中的本地存储需求。
  其高速写入特性和低功耗优势使得它成为这些领域的理想选择。

替代型号

FM24CL64B-GT, MB85RC256V-SNE

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