型号：7N65ZL-TQ2-R
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：650V
　　最大连续漏极电流（Id）：7A
　　脉冲漏极电流（Idm）：28A
　　最大功耗（Pd）：50W
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值0.28Ω，最大值0.33Ω（Vgs=10V）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V～4V
　　输入电容（Ciss）：典型值600pF
　　输出电容（Coss）：典型值120pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值35ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　封装类型：TDFN33 (TQFN)
　　安装方式：表面贴装
　　通道数：单通道
　　极性：增强型
　　栅极驱动电压推荐：10V～12V
　　符合RoHS标准：是
　　AEC-Q101认证：是

7N65ZL-TQ2-R的核心特性在于其高耐压与低导通电阻之间的良好平衡，这使得它能够在高压环境中高效运行，同时减少能量损耗。其650V的漏源击穿电压确保了在瞬态过压或雷击浪涌等异常条件下仍能维持器件稳定性，特别适用于离线式电源拓扑结构如反激、正激和LLC谐振转换器。器件的导通电阻在Vgs=10V时仅为0.33Ω（最大值），显著降低了导通期间的I2R损耗，提高了整体能效。
　　该MOSFET采用TDFN33小型化封装，尺寸紧凑（通常为3.3mm x 3.3mm），非常适合空间受限的应用场合。封装底部带有裸露焊盘，可通过PCB上的热过孔将热量迅速传导至地层或散热层，有效降低热阻，提升长期工作的可靠性。此外，该封装具备较低的引脚电感，有助于抑制开关过程中的电压尖峰和振荡，从而改善EMI性能。
　　7N65ZL-TQ2-R的栅极电荷（Qg）较低，典型值约为30nC，这意味着驱动电路所需的驱动功率较小，可以使用低成本的驱动IC实现快速开关动作，进一步提升系统效率。其输入电容和输出电容均经过优化，在高频工作条件下表现出优异的动态响应能力。反向恢复时间短（典型35ns），配合体二极管的软恢复特性，减少了与之配对的续流二极管或同步整流MOSFET的应力，提升了系统安全性。
　　该器件通过AEC-Q101车规级可靠性认证，表明其在高温、高湿、热循环、机械振动等严苛环境下仍能保持稳定性能，因此不仅可用于工业级电源，也可广泛应用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器、电池管理系统（BMS）等汽车电子领域。此外，产品采用无铅、无卤素材料制造，符合现代绿色电子产品的环保要求。

7N65ZL-TQ2-R主要应用于各类中高功率开关电源系统，尤其是在需要高效率、小体积和高可靠性的场合。典型应用包括：LED恒流驱动电源，特别是在户外照明、商业照明和智能照明系统中，作为主开关管使用；手机、笔记本电脑等消费类电子产品的AC-DC适配器和充电器，利用其高效率特性满足能源之星和DoE VI等能效标准；光伏微逆变器中的DC-AC转换环节，用于实现太阳能板输出的高效逆变；工业级开关电源模块，如医疗设备电源、通信电源等对安全性和稳定性要求较高的系统；新能源汽车中的车载充电机（OBC）和辅助电源单元（APU），得益于其通过AEC-Q101认证，能够适应复杂多变的车载环境；此外，该器件还可用于电机驱动控制、UPS不间断电源以及智能电表等电力电子装置中。其高耐压能力和优良的热管理特性使其在长时间满载运行下依然保持稳定性能，延长了终端设备的使用寿命。

FQP65N65S