类型：N沟道
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大连续漏极电流（ID）：42A
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：168A
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 10V：17mΩ
　　导通电阻RDS(on) max @ VGS = 4.5V：22mΩ
　　栅极阈值电压（Vth）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：2300pF
　　输出电容（Coss）：590pF
　　反向恢复时间（trr）：38ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-252 (D-Pak)

IRFY130CM采用英飞凌先进的沟槽式场效应晶体管技术，具备极低的导通电阻，典型值在VGS=10V时仅为17mΩ，这显著降低了器件在导通状态下的功率损耗，尤其适用于大电流应用场景。其低RDS(on)特性不仅提升了系统效率，还减少了对散热器的依赖，有助于实现更紧凑的PCB布局设计。该MOSFET具有优异的开关性能，输入和输出电容较小，使得其在高频开关应用中表现出色，如开关电源和同步整流电路。其快速的开关速度可以有效减少开关过程中的能量损耗，提高整体电源转换效率。此外，该器件支持逻辑电平驱动，在4.5V至10V的栅极驱动电压下即可实现完全导通，兼容3.3V和5V逻辑系统，无需额外的电平转换电路，极大简化了控制电路的设计复杂度。
　　IRFY130CM具备出色的热稳定性和可靠性，其最高工作结温可达+175°C，并采用TO-252封装，具有良好的热传导路径，可通过PCB铜箔进行有效散热。这种封装形式适合自动化贴片生产，提高了制造效率和产品一致性。器件内部集成的体二极管具有较快的反向恢复特性，反向恢复时间仅为38ns，能够在电机驱动或H桥电路中有效抑制电压尖峰，保护MOSFET免受损坏。同时，该器件具有较强的雪崩耐受能力，可在瞬态过压条件下保持稳定运行，增强了系统在恶劣工况下的鲁棒性。所有这些特性使IRFY130CM成为工业控制、汽车电子、消费类电源和可再生能源系统中理想的功率开关元件。

IRFY130CM广泛应用于多种高效率功率转换和控制场合。常见应用包括开关模式电源（SMPS），特别是在降压（Buck）、升压（Boost）和升降压（Buck-Boost）拓扑结构中作为主开关或同步整流器使用。其低导通电阻和快速开关特性使其在DC-DC转换器中表现优异，能够有效降低能量损耗并提升转换效率。在电机驱动系统中，该器件可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路，实现正反转和调速控制，其高电流承载能力和快速响应特性确保了电机运行的平稳与高效。
　　此外，IRFY130CM也常用于电池管理系统（BMS）、电源负载开关、热插拔控制器和逆变器等应用。在太阳能逆变器或小型UPS系统中，它可用于直流侧的功率切换和保护。由于其支持逻辑电平驱动，非常适合由微控制器直接控制的智能电源管理模块。在工业自动化设备、电动工具、LED驱动电源以及汽车电子系统（如车灯控制、风扇驱动）中也有广泛应用。得益于其高可靠性和紧凑封装，IRFY130CM特别适用于空间受限但对性能要求较高的嵌入式系统设计。

IRL3803,IRF1404ZPBF,FDLF130N06T