LMUN2111LT1G 时间：2025/8/14 16:08:14 阅读：28

LMUN2111LT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效率、高频率的开关应用，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。LMUN2111LT1G 采用先进的沟槽技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），确保在高电流条件下也能保持较低的导通损耗。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：6.1A
　　导通电阻（Rds(on)）：28mΩ（典型值）@ Vgs = 4.5V
　　功率耗散（Pd）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：SOT-23
　　晶体管配置：单

特性

LMUN2111LT1G 具备多项出色的电气和热性能，使其适用于多种高频率、高效率的功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）显著降低了导通损耗，有助于提高系统整体效率。在 4.5V 的栅极驱动电压下，Rds(on) 仅为 28mΩ，这在小型封装中是非常优异的表现。
　　其次，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，使得在小尺寸封装中实现了较高的电流承载能力和较低的导通电阻。这种技术优化了载流子的分布，提高了器件的热稳定性和可靠性。
　　此外，LMUN2111LT1G 的栅极驱动电压为 ±12V，兼容常见的低压驱动电路，适用于使用 5V 或更低电压电源的控制系统。栅极驱动电压的兼容性使得该器件可以轻松与多种控制器和驱动 IC 配合使用。
　　该 MOSFET 的 SOT-23 封装形式具有良好的热管理性能，能够在有限的空间内实现高效的热量散发。这种小型封装非常适合空间受限的应用，如笔记本电脑、智能手机、可穿戴设备和其他便携式电子产品。
　　最后，该器件的额定工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备良好的耐热性能和宽泛的工作环境适应能力，适用于工业级和汽车电子等要求较高的应用领域。

应用

LMUN2111LT1G 主要用于需要高效能、小尺寸和高频率特性的功率管理应用。其主要应用包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、LED 驱动器以及电池供电设备中的功率开关。在便携式电子设备中，该器件常用于电源管理系统，以提高能源效率并延长电池续航时间。此外，LMUN2111LT1G 还适用于各种工业控制电路、汽车电子系统以及智能电表等应用场景。