7D5N60P 时间：2025/9/12 19:19:18 阅读：5

7D5N60P是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高功率和高频率应用。该器件具有低导通电阻、高耐压能力和优良的热稳定性，使其适用于如开关电源、DC-DC转换器、电机控制以及电池管理系统等多种场景。7D5N60P采用TO-252（DPAK）封装，适合表面贴装技术（SMT），在紧凑型电子设计中具有较高的适用性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：5A
　　最大功耗（Pd）：50W
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　存储温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值1.2Ω（@Vgs=10V）
　　输入电容（Ciss）：约800pF
　　封装形式：TO-252（DPAK）

特性

7D5N60P MOSFET具有多个显著的电气和物理特性。首先，其高耐压能力（600V）使其非常适合高压电源应用，例如AC-DC转换器和功率因数校正（PFC）电路。其次，该器件的导通电阻较低（典型值1.2Ω），这有助于减少导通损耗并提高整体效率。此外，7D5N60P具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，且具备良好的抗过载能力。
　　其栅极驱动电压范围为±30V，具有较强的抗静电能力，有助于保护器件免受静电放电（ESD）损害。此外，TO-252封装不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在PCB上，适用于自动化生产流程。7D5N60P还具备快速开关特性，适合高频开关应用，从而减少开关损耗并提高系统响应速度。

应用

7D5N60P广泛应用于多种功率电子设备中，例如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、逆变器、电机驱动器和电池管理系统。在家电控制电路中，它也常用于控制加热元件或风扇电机的功率输出。由于其高耐压和低导通电阻特性，该器件在LED照明驱动电源、智能电表和工业自动化设备中也有广泛应用。
　　在新能源领域，如太阳能逆变器和电动车充电模块中，7D5N60P可用于功率调节和能量转换。此外，由于其快速开关特性和较高的热稳定性，它也适用于高频变压器驱动和功率放大器设计。