时间：2025/9/14 15:04:28
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PSMN3R8-100BS118 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于高效能功率转换和电源管理系统。该器件采用了先进的 Trench 工艺技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），从而减少了导通损耗并提高了效率。其封装形式为 DFN2020-6B（也称为 LFPAK56），这种封装技术具有优良的热性能和高可靠性。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：40A
导通电阻 Rds(on)：3.8mΩ（最大值，典型值可能更低）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装：DFN2020-6B / LFPAK56
PSMN3R8-100BS118 具备多项出色的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在大电流应用中更低的导通损耗，从而提高了系统的整体效率。其次，该 MOSFET 采用了先进的 Trench 技术，优化了器件的开关性能，使其在高频开关应用中表现出色，减少了开关损耗。此外，其额定漏源电压为 100V，栅源电压为 ±20V，能够在较高的电压环境下稳定运行，适用于多种电源转换拓扑结构，如同步整流、DC-DC 转换器、负载开关等。
该器件的额定连续漏极电流为 40A，在适当的散热条件下可维持稳定的高电流输出，适合用于大功率应用场景。其封装形式为 DFN2020-6B（LFPAK56），这是一种无引脚、双面散热的封装形式，具有优异的热管理性能，能够有效降低器件温度，提高长期工作的可靠性。此外，该封装形式还具有较小的 PCB 占用空间，有助于实现紧凑型电源设计。
PSMN3R8-100BS118 还具备良好的抗雪崩能力和较高的耐用性，可在严苛的工作环境中保持稳定性能。其工作温度范围宽达 -55°C 至 175°C，适应各种极端温度条件下的运行需求。该器件符合 RoHS 标准，支持绿色环保的电子产品设计。
PSMN3R8-100BS118 被广泛应用于多个高性能功率电子领域。首先，它适用于 DC-DC 转换器和同步整流器，其低导通电阻和快速开关特性使得电源转换效率显著提高。此外，在电机控制和驱动电路中，该 MOSFET 可作为高侧或低侧开关，实现高效的电机控制。在电池管理系统（BMS）中，它用于实现高效的充放电控制和负载切换，保障系统的稳定运行。该器件也适用于负载开关、电源管理模块以及服务器、电信设备和工业自动化设备中的电源模块。由于其优异的热性能和可靠性，PSMN3R8-100BS118 还适用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统和车身控制模块。
IPB045N10N3 G, SQM100R380E, PSMN5R8-100YS
