类型：双肖特基二极管
　　配置：共阴极
　　最大重复反向电压（VRRM）：40V
　　最大直流反向电压（VR）：40V
　　最大均方根电压（VRMS）：28V
　　最大正向整流电流（IF(AV)）：300mA
　　峰值非重复正向浪涌电流（IFSM）：1.25A
　　最大正向电压（VF）：500mV（在300mA条件下）
　　最大反向漏电流（IR）：400μA（在25°C下）
　　工作结温范围：-55°C 至 +125°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

76SB10S的核心优势在于其采用的肖特基势垒技术，这种技术利用金属与半导体之间的势垒形成单向导电特性，相较于传统的PN结二极管，显著降低了正向导通压降。这一特性使得器件在导通状态下能量损耗更小，从而提高了整体系统的能效表现。尤其是在电池供电或低功耗应用中，低VF值意味着更少的热量产生和更长的工作时间。典型条件下，当通过300mA电流时，其正向压降仅为500mV左右，远低于普通硅二极管的0.7V以上水平。此外，由于肖特基二极管本质上是非少数载流子器件，不存在少数载流子存储效应，因此具备极快的开关速度，能够实现纳秒级的反向恢复时间，适用于高频开关电路中，有效减少开关损耗和电磁干扰。
　　该器件为双二极管共阴极配置，即两个阳极各自独立，而阴极连接在一起，这种结构常用于全波整流或双通道信号处理电路中，有助于简化PCB布局并节省空间。SOT-23封装不仅体积小巧（约2.9mm x 1.3mm），而且具有良好的散热性能和机械强度，便于自动化贴片生产。76SB10S还具备出色的热稳定性，在高温环境下仍能维持较低的漏电流水平，最大反向漏电流在室温下仅为400μA，在125°C结温时也控制在合理范围内，避免因漏电增加而导致系统异常。同时，其高达40V的反向耐压能力足以应对大多数低压直流电源系统的需求，包括USB供电、DC-DC转换器输出端保护、电池充放电管理等场景。器件经过严格的质量测试，符合AEC-Q101车规级认证的部分要求，可用于汽车电子中的辅助电源模块。此外，产品采用无卤素材料制造，满足现代环保法规要求，支持回流焊和波峰焊等多种装配工艺，适应性强。

76SB10S广泛应用于多种电子系统中，尤其适合对空间和效率有较高要求的设计。在便携式消费类电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，常被用作电源路径管理中的防反接保护元件，防止电池误插或外部电源反向接入造成损坏。在DC-DC转换器输出端，它可用于同步整流辅助或续流二极管，提升转换效率。在USB接口电路中，76SB10S可用于过压钳位和静电泄放路径，配合TVS管提供多重保护机制。此外，在无线通信模块（如Wi-Fi、蓝牙、LoRa模块）中，该器件可用于射频信号检测或包络解调电路，利用其快速响应特性提取调制信息。工业控制领域中，76SB10S常见于传感器信号调理电路，作为钳位或隔离元件，防止瞬态电压冲击影响主控芯片。在汽车电子系统中，可用于车载充电器、LED照明驱动和车身控制模块中的电源整流环节。由于其高可靠性和宽温工作能力，也可部署于户外设备、智能家居网关和物联网终端设备中，承担电源管理与信号处理双重任务。总之，凡是需要小型化、高效率和快速响应的二极管功能场合，76SB10S都是一个极具竞争力的选择。

BAS70-04W, PMEG2005EH, SS12