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76PSB04 发布时间 时间:2025/12/26 22:51:50 查看 阅读:11

76PSB04是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的高压栅极驱动器IC,专为高端N沟道功率MOSFET和IGBT的应用而设计。该器件属于半桥驱动器系列,能够提供高边和低边驱动能力,广泛应用于开关电源、电机控制、逆变器以及照明镇流器等电力电子系统中。76PSB04采用高性能的BCD工艺制造,具备良好的抗噪能力和热稳定性,适合在恶劣的工业环境中运行。其内部集成电平位移电路,使得高边驱动能够在浮动电源下正常工作,从而有效驱动连接在母线电压上的高端MOSFET。此外,该芯片还内置了多种保护功能,如欠压锁定(UVLO)、匹配的传播延迟以及互锁逻辑,防止上下桥臂直通短路,提高了系统的可靠性与安全性。
  76PSB04通常采用16引脚SO封装或PDIP封装,便于在紧凑型PCB设计中使用。它支持高达600V的耐压能力,适用于大多数中等功率应用场合。输入逻辑兼容标准CMOS和TTL电平,简化了与微控制器或其他数字控制单元的接口设计。由于其高集成度和出色的性能表现,76PSB04成为许多工业和消费类电源系统中的首选栅极驱动解决方案之一。

参数

型号:76PSB04
  制造商:STMicroelectronics
  类型:高压半桥栅极驱动器
  最大供电电压:20V
  输出电流(源/灌):200mA / 400mA
  高边驱动电压:最高600V
  低边驱动电压:最高600V
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装形式:SO-16, PDIP-16
  输入逻辑类型:TTL/CMOS 兼容
  传播延迟时间:典型值 500ns
  上升时间(典型):30ns
  下降时间(典型):20ns
  隔离电压(内部电平位移):≥600V

特性

76PSB04具备多项关键特性,使其在复杂的电力电子系统中表现出色。首先,它集成了一个高效的电平位移技术,允许高边驱动器在浮动电源条件下稳定工作,从而实现对高端N沟道MOSFET的有效驱动。这种设计不仅提升了效率,还降低了成本和空间占用,因为无需使用更昂贵或体积更大的P沟道器件。其次,该芯片具有独立的高边和低边输出通道,每个通道都配备了独立的驱动级,确保精确控制和最小化交叉导通风险。其内部互锁逻辑功能可在输入信号异常时自动禁用两个输出,避免上下桥臂同时导通造成的短路事故,极大增强了系统的安全性和鲁棒性。
  另一个显著特点是其宽泛的工作电压范围和强大的抗干扰能力。76PSB04支持从10V到20V的VDD供电,并且内置欠压锁定(UVLO)电路,当电源电压低于设定阈值时会自动关闭输出,防止因供电不足导致的误动作。此外,器件具有优异的dV/dt抗扰度,能够在快速电压变化环境下保持稳定运行,适用于高频开关场景。其传播延迟匹配良好,有助于减少死区时间并提升整体转换效率。所有这些特性共同作用,使76PSB04成为一个高度可靠、易于集成的栅极驱动解决方案,特别适合用于需要长期连续运行的工业设备中。

应用

76PSB04广泛应用于各类需要高效、可靠功率开关控制的电子系统中。在开关模式电源(SMPS)领域,它常被用于有源功率因数校正(PFC)电路和DC-DC变换器中,作为半桥拓扑结构的核心驱动元件,帮助提高能效并满足严格的能效标准。在电机驱动应用中,无论是家用电器中的风扇电机还是工业自动化设备中的三相逆变器,76PSB04都能提供精准的栅极驱动信号,确保电机平稳启动和高效运行。此外,在荧光灯和LED照明系统的电子镇流器设计中,该芯片也发挥着重要作用,支持高频谐振变换器拓扑,实现无频闪照明和长寿命光源管理。
  在新能源相关设备中,如太阳能微型逆变器和小型风力发电系统的功率转换模块中,76PSB04同样展现出良好的适应性。其高耐压能力和热稳定性使其能在户外复杂环境条件下长期可靠工作。此外,该器件也被用于不间断电源(UPS)、焊接设备和感应加热装置等高要求工业产品中。得益于其TTL/CMOS兼容输入接口,76PSB04可以轻松与各种微控制器、DSP或专用PWM控制器连接,构成完整的数字电源控制系统。因此,无论是在消费类电子产品还是在严苛的工业环境中,76PSB04都是一种成熟且值得信赖的高压驱动器选择。

替代型号

IRS21844
  IR2110
  UCC27531
  L6386E

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76PSB04参数

  • 标准包装105
  • 类别开关
  • 家庭DIP
  • 系列76
  • 电路单刀单掷
  • 位置数4
  • 触点额定电压0.15A @ 30VDC
  • 触动器类型Piano
  • 触动器电平凸起式
  • 安装类型通孔
  • 方向侧面触动
  • 可清洗
  • 其它名称GH1215