时间：2025/8/9 12:13:40
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2SK3921-01S 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率开关应用。这款MOSFET具有高耐压、低导通电阻和高可靠性等优点，适用于DC-DC转换器、电源管理、马达控制、负载开关等应用领域。2SK3921-01S采用了SOP（Small Outline Package）封装，体积小、便于在高密度PCB设计中使用。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：60A
导通电阻（RDS(on)）：5.5mΩ（典型值，VGS=10V）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOP
2SK3921-01S MOSFET具备多项优异的电气和物理特性。首先，其漏源电压为30V，能够承受较高的电压应力，适用于中高功率的电源转换应用。其次，其导通电阻RDS(on)的典型值仅为5.5mΩ，这大大降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。该器件的连续漏极电流可达60A，表明其具备较高的电流承载能力，适合用于高电流负载的控制。
此外，2SK3921-01S采用SOP封装，具有良好的热稳定性和机械强度，能够在较高的工作温度下稳定运行。其工作温度范围从-55°C到+150°C，适应各种严苛的环境条件。栅源电压容限为±20V，使得该器件在驱动电路设计中具备较高的灵活性和安全性。同时，其封装形式便于自动化生产和焊接，提高了制造效率和产品一致性。
2SK3921-01S MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、马达控制电路、负载开关、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关。此外，该器件也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。在消费类电子产品中，它可用于高功率LED驱动、笔记本电脑适配器和智能电源插座等应用场景。
SiR142DP-T1-GE3, FDS6680, IRF6717TRPBF
