时间：2025/6/7 14:37:12
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NTD6416ANT4G是一款N沟道增强型MOSFET，由ON Semiconductor（现为安森美半导体）生产。该器件采用先进的制造工艺设计，旨在提供高效率和低导通电阻的特性，适用于各种功率转换和开关应用。其封装形式为TO-263-3（DPAK），具有出色的散热性能和易于安装的特点。
NTD6416ANT4G的工作电压范围较广，支持高达60V的漏源极电压，同时具备低至0.0058Ω的最大导通电阻（在Vgs=10V时）。这些特点使其非常适合用于负载开关、同步整流、DC-DC转换器以及电机驱动等场景。
最大漏源极电压：60V
最大栅源极电压：±20V
连续漏极电流：37A
导通电阻（Rds(on)）：0.0058Ω（Vgs=10V时）
栅极电荷：49nC
输入电容：2260pF
总功耗：173W
工作温度范围：-55℃至175℃
1. 高效率：
NTD6416ANT4G具有非常低的导通电阻，可显著降低导通损耗，从而提高整体系统效率。
2. 高可靠性：
该器件采用了先进的半导体技术制造，能够在极端温度范围内稳定运行，并且具备较高的抗浪涌能力。
3. 优异的热性能：
其TO-263-3封装设计提供了良好的散热路径，确保在高功率应用中也能保持较低的结温。
4. 快速开关：
较小的栅极电荷使得该MOSFET能够实现快速开关，减少开关损耗。
5. 宽工作电压：
支持高达60V的漏源极电压，适用于多种电源管理应用场景。
1. 负载开关：
由于其低导通电阻和高电流承载能力，NTD6416ANT4G非常适合用作负载开关，在需要频繁开启或关闭电路的应用中表现优异。
2. 同步整流：
在开关电源和DC-DC转换器中，该MOSFET可以用作同步整流管以替代肖特基二极管，从而提高效率并降低发热。
3. 电机驱动：
这款MOSFET可以用来驱动小型直流电机或步进电机，满足高性能要求的同时保持较低的成本。
4. 电池保护：
在便携式电子设备中，NTD6416ANT4G可用于电池组的过流保护电路，确保电池的安全使用。
NTD6416NPT1G
IRFZ44N
FDP55N06L
