75N75是一款N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动、负载切换和其他需要高效率和快速开关的应用场景中。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和良好的热性能,能够在高频工作条件下保持高效运行。
75N75的设计旨在满足工业和消费类电子设备对高性能功率管理的需求。其封装形式通常为TO-220或DPAK,具备出色的散热能力,便于集成到各种功率系统中。
最大漏源电压:75V
连续漏极电流:41A
导通电阻(典型值):3.6mΩ
栅极电荷:87nC
反向恢复时间:19ns
功耗:240W
工作温度范围:-55℃至+175℃
75N75具有以下显著特点:
1. 高效的导通性能:低导通电阻使其在大电流应用中表现出色,能够显著降低传导损耗。
2. 快速开关能力:较低的栅极电荷和反向恢复时间确保了其在高频工作环境下的优越表现。
3. 稳定性强:能够在较宽的工作温度范围内可靠运行,适合恶劣环境下的应用。
4. 热性能优异:采用高效的散热封装设计,有助于提升系统的整体热管理能力。
5. 高可靠性:经过严格的质量测试和筛选,保证了其在长期使用中的稳定性。
75N75主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS):适用于各类AC-DC和DC-DC转换器。
2. 电机驱动:可用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的控制。
3. 负载切换:在汽车电子和工业自动化系统中实现负载的动态切换。
4. 充电器:用于手机、笔记本电脑和其他便携式设备的充电解决方案。
5. LED照明:支持高功率LED驱动电路设计。
6. 工业电源:为工业设备提供稳定高效的功率输出。
IRFZ44N
STP75NF06L
FDP5570N
IXFN75N06T2