类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：60V
　　漏极电流（ID）：42A（连续）
　　脉冲漏极电流（IDM）：168A
　　导通电阻（RDS(on)）max @ VGS=10V：1.8mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）max @ VGS=4.5V：2.3mΩ
　　栅源阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 3.0V
　　输入电容（Ciss）：典型值 2800pF
　　输出电容（Coss）：典型值 950pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 24ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值 45nC @ VGS=10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装/外壳：PowerPAK? SO-8L

75K62100S66RX所采用的TrenchFET?技术是一种基于深沟槽蚀刻工艺的先进MOSFET制造方法，能够显著降低单位面积下的导通电阻，从而提升器件的整体效率。这种结构使得电子流动路径更加垂直化，减少了横向扩散带来的电阻损耗，实现了更低的RDS(on)，尤其是在低电压应用中表现尤为突出。同时，该技术优化了晶圆层面的掺杂分布与结区设计，增强了器件的雪崩耐量和短路承受能力，提升了系统级的可靠性。由于采用了薄芯片和背面金属化处理，热阻显著降低，有助于快速将热量从结传递到PCB，进一步改善散热性能。
　　该器件具备出色的动态性能，包括较低的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qgd），这对于高频开关应用至关重要。低Qg意味着驱动电路所需的能量更少，降低了驱动损耗并允许使用更小的驱动IC；而低Qgd则有助于减少开关过程中的误导通风险，提高系统的稳定性。此外，其较小的输出电容（Coss）也有助于减少关断时的能量损耗，从而提升整体能效。这些特性使75K62100S66RX非常适合用于同步整流、负载开关、电池管理系统以及多相VRM（电压调节模块）等场合。
　　PowerPAK? SO-8L封装是该器件的一大亮点，它去除了传统DPAK或SO-8封装中的金属外露引脚框架，采用双面冷却设计，极大增强了热传导能力。封装底部的大面积铜焊盘可以直接连接至PCB上的热沉区域，有效降低热阻RθJC（结到壳）。此外，该封装还具备优异的机械稳定性和抗振动能力，适用于汽车电子等严苛环境。由于没有引线键合（wire bond），避免了因电流集中导致的局部过热问题，也提升了大电流条件下的长期可靠性。综合来看，75K62100S66RX凭借其先进的工艺、优越的电学特性和高效的封装设计，在现代高密度电源系统中展现出强大的竞争力。

75K62100S66RX广泛应用于需要高效能、高功率密度和高可靠性的电源系统中。在通信设备领域，它常用于服务器和基站中的DC-DC转换器，作为同步整流开关或主开关器件，帮助实现超过95%的转换效率。在笔记本电脑和平板电脑的主板电源管理单元中，该MOSFET可用于CPU核心供电的多相降压变换器，提供稳定的低压大电流输出，满足高性能处理器的瞬态响应需求。此外，在LED照明驱动电源中，其低导通损耗和快速开关能力有助于减少发热，延长灯具寿命。
　　在电动工具和无人机等便携式设备中，75K62100S66RX被用于电池保护电路和电机驱动H桥拓扑中，既能保证长时间运行的效率，又能应对突发的启动电流冲击。在汽车电子方面，尽管该型号未明确标注为AEC-Q101认证产品，但同系列器件广泛用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和车身控制模块中，因此在非安全关键系统中仍具应用潜力。工业自动化控制系统中的PLC电源模块、伺服驱动器和传感器供电单元也是其典型应用场景。
　　此外，该器件还可用于太阳能微型逆变器、储能系统的能量双向传输控制，以及医疗设备中的隔离电源设计。由于其具备良好的高温工作能力和稳定性，即使在恶劣环境下也能维持正常运行。总体而言，凡是需要低RDS(on)、高开关频率和紧凑布局的场景，75K62100S66RX都是一种极具吸引力的选择。

SiR621DP-T1-GE3
　　IRF7473PbF
　　AOZ5242AIJ