时间：2025/6/28 15:12:02
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FQPF7N10 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），主要用于高频开关应用和功率转换电路中。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于消费电子、工业设备和通信设备等领域的功率管理。
FQPF7N10 的封装形式为 TO-252 (DPAK)，适合表面贴装技术（SMT），从而简化了 PCB 设计并提高了可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：7A
导通电阻（典型值）：130mΩ
栅极电荷：9nC
输入电容：480pF
总耗散功率（Tc=25℃）：2.1W
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
FQPF7N10 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可有效降低传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，减少开关损耗。
3. 高雪崩击穿能量，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 小型化封装，节省 PCB 空间并改善散热性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代电子产品的需求。
6. 支持多种保护功能设计，如过流保护和短路保护。
FQPF7N10 广泛应用于各种需要高效功率转换和控制的场景，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器的核心功率开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制。
4. LED 驱动器以实现恒流或恒压输出。
5. 电池管理系统中的充放电路径控制。
6. 工业自动化设备中的负载切换和保护电路。
由于其出色的性能和可靠性，FQPF7N10 成为许多工程师在功率转换和管理应用中的首选器件。
IRF740,
STP7NF10,
FDP7N10,
AO3401A
