晶体管类型：NPN双极性晶体管（双晶体管）
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　电流增益（hFE）：110（最小）至800（最大），根据档位不同而变化
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-363（SC-88）

LMUN5314DWT1G具备多种优良特性，首先其内部集成两个NPN晶体管，可以有效减少PCB板的空间占用，提高电路集成度，适用于高密度电路设计。其次，该器件具有较高的电流增益（hFE），可在低基极电流条件下实现高效的电流放大功能，适用于放大器和开关电路。
　　此外，该器件的集电极-发射极耐压（VCEO）为50V，最大集电极电流为100mA，能够在中等功率应用中稳定工作。同时，其SOT-363封装具备良好的热稳定性和机械强度，适合在各种工业和消费类电子环境中使用。

LMUN5314DWT1G广泛应用于多个电子领域，包括数字逻辑电路、缓冲器、逆变器、驱动器和信号放大器。其双晶体管结构可简化电路设计，常用于构建双稳态或多谐振荡器等基础逻辑单元。
　　在消费类电子产品中，该器件常用于电源管理、LED驱动、继电器控制以及传感器信号调理。例如，在智能家电或便携式设备中，LMUN5314DWT1G可用于控制小型继电器或MOSFET的基极驱动，提高系统的整体能效。
　　工业控制领域中，该器件可应用于PLC输入输出模块、电机驱动电路以及自动控制系统的信号处理部分。此外，由于其良好的高频响应特性，也可用于通信设备中的射频信号放大和处理电路。

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　　 "MMBT2907AWT1G",
　　 "BC807-25",
　　 "2N3904",
　　 "PN2222A"
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