型号：74LVT04DB
　　封装类型：SO14
　　逻辑系列：LVT
　　逻辑功能：六反相器
　　电源电压（VCC）：2.7V ~ 3.6V
　　最大传播延迟（tpd）：约3.5ns（典型值）
　　输出驱动能力：±24mA（灌电流/拉电流）
　　输入类型：5V 容限
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　引脚数：14
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　低电平输入电压（VIL）：≤ 0.8V
　　高电平输入电压（VIH）：≥ 2.0V
　　输出电压（低电平 VOL）：≤ 0.4V（在IOL = 24mA时）
　　输出电压（高电平 VOH）：≥ 2.4V（在IOH = -24mA时）
　　静态电源电流（ICC）：≤ 10μA（典型值）
　　上升/下降时间（tr/tf）：约2.5ns
　　输入滞回：提供噪声抑制功能

74LVT04DB的核心特性之一是其低电压操作与高速性能的结合，使其成为3.3V系统中替代传统5V TTL逻辑的理想选择。该器件在2.7V至3.6V的电源电压范围内稳定工作，典型工作电压为3.3V，能够在保持低功耗的同时实现快速的信号响应。其传播延迟时间典型值仅为3.5ns，确保了在高频数字系统中的高效数据处理能力，适用于时钟缓冲、地址解码、信号整形等关键路径。每个反相器具备±24mA的输出驱动能力，可以直接驱动50Ω传输线，减少了对外部缓冲器的需求，简化了系统设计。
　　另一个显著特点是其5V容限输入结构。尽管该芯片工作在3.3V电源下，但其输入引脚可以安全承受高达5.5V的输入信号，因此可以在混合电压系统中与5V CMOS或TTL器件直接接口，避免了电平转换器的使用，降低了系统复杂性和成本。这一特性在系统升级或新旧设备兼容场景中尤为重要。
　　74LVT04DB采用先进的CMOS工艺制造，具有极低的静态功耗，静态电源电流通常低于10μA，非常适合对功耗敏感的应用，如便携式设备或电池供电系统。同时，该器件具备良好的动态功耗表现，在高频切换时仍能保持能效优势。内部集成的串联阻尼电阻（on-chip series damping resistors）有效抑制高速信号传输过程中的反射和振铃现象，提升了信号完整性，减少了电磁干扰（EMI）。
　　该芯片还具备高噪声容限，输入高低电平阈值设计合理（VIL ≤ 0.8V，VIH ≥ 2.0V），确保在存在噪声的环境中仍能可靠识别逻辑状态。其宽工作温度范围（-40°C至+85°C）支持工业级和商业级应用环境，增强了系统的环境适应性。SO14封装形式不仅节省空间，而且便于自动化贴片生产，提高了制造效率。整体而言，74LVT04DB在性能、兼容性、可靠性和可制造性之间实现了良好平衡，是一款成熟可靠的通用逻辑器件。

74LVT04DB广泛应用于需要高速、低电压逻辑处理的各类电子系统中。在通信设备领域，常用于信号调理、时钟分配网络中的反相缓冲，以及数据总线的驱动与隔离。由于其具备较强的输出驱动能力和快速响应特性，特别适合在路由器、交换机、基站等电信基础设施中实现高速信号路径的逻辑反相操作。在计算机及外设系统中，该芯片可用于地址线或控制线的反相处理，例如在内存模块、I/O扩展电路或PCI总线接口中作为电平调节单元。
　　工业控制系统也是74LVT04DB的重要应用领域。在PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口模块、电机驱动电路中，该器件可用于将微控制器输出的逻辑信号进行反相以匹配执行机构的输入要求。其高抗干扰能力和宽温工作特性使其在恶劣工业环境中依然稳定运行。
　　在消费类电子产品中，如数字电视、机顶盒、音频设备等，74LVT04DB可用于内部逻辑电平转换、LED驱动控制信号反相或按键去抖电路中的反相器单元。此外，在测试测量仪器和自动化测试设备（ATE）中，该芯片常被用作信号发生器或逻辑分析仪中的基础逻辑构建模块。
　　由于其5V输入容限特性，74LVT04DB也常用于混合电压系统的电平桥接，例如连接3.3V FPGA/CPU与5V外围器件之间的信号通道，确保双向信号兼容且不造成器件损坏。其小型化SO14封装也使其适用于空间受限的便携式设备或高密度PCB设计。总之，该器件凭借其通用性和高可靠性，几乎可应用于任何需要逻辑反相功能的数字电路中。

SN74LVT04DBR
　　MC74LVT04DG