时间：2025/12/26 11:54:23
阅读：10
74HC125S14-13是一款基于高密度CMOS技术的四路三态非反相缓冲器/驱动器集成电路，属于74HC系列逻辑芯片。该器件包含四个独立的缓冲门电路，每个门具有一个输入端、一个输出端以及一个用于控制输出状态的使能端（OE）。当使能端为低电平时，输出处于正常工作状态，跟随输入信号；而当使能端为高电平时，输出进入高阻抗状态，即三态模式，此时器件不驱动总线，允许多个设备共享同一数据总线而不发生冲突。该型号由Diodes Incorporated等厂商生产，采用SOIC-14（Small Outline Integrated Circuit）封装形式，符合工业标准的引脚布局，便于在PCB上进行表面贴装。74HC125S14-13广泛应用于数字系统中的信号隔离、总线驱动和电平转换等场景，尤其适用于需要多设备挂接在同一通信路径上的设计。由于其CMOS结构，该芯片具有较低的静态功耗，适合对功耗敏感的应用场合。同时，它具备良好的噪声抑制能力，能够在较宽的电源电压范围内稳定工作，通常支持2V至6V的VCC供电范围，兼容TTL电平输入，增强了与其他逻辑系列接口的互操作性。此外，该器件内部集成有保护二极管，可有效防止静电放电（ESD）造成的损坏，提高了系统的可靠性与耐用性。
类型：四路三态非反相缓冲器
逻辑系列：74HC
电源电压范围：2V ~ 6V
输出类型：三态
每封装逻辑门数量：4
传播延迟时间（典型值）：约10ns（在5V VCC下）
输出电流：±5.2mA（最大值，@ 4.5V VCC）
静态电流（最大值）：8μA
工作温度范围：-40°C ~ +125°C
封装类型：SOIC-14
安装方式：表面贴装（SMD）
输入电容：约3.5pF
最大时钟频率（估算）：约50MHz（取决于负载）
上升/下降时间（典型值）：约7ns（在5V VCC下）
74HC125S14-13的核心特性之一是其三态输出功能，使得多个缓冲器可以共享同一数据总线而不会产生电气冲突。每个缓冲器的输出通过一个独立的使能端（OE）控制，当OE为低电平时，输出有效并跟随输入信号状态；当OE为高电平时，输出呈现高阻抗状态，相当于从总线上断开连接。这种机制在构建多主控系统或需要分时复用总线的数字系统中极为重要，例如微处理器系统中的地址/数据总线隔离、外设选择控制等。
该器件基于高速CMOS工艺制造，兼具低功耗与高性能的优点。在静态条件下（无开关动作），其电源电流极低，通常不超过几微安，显著优于传统的TTL逻辑器件。这使其非常适合电池供电或便携式电子设备中的应用。同时，在动态运行时，其传播延迟较短，在5V供电下典型值约为10ns，支持高达数十兆赫兹的工作频率，能够满足大多数中速数字系统的时序要求。
74HC125S14-13具有良好的输入电平兼容性，虽然属于CMOS系列，但其输入端能够识别TTL电平信号（如2.0V以上为高电平），因此可以直接与74LS、74ALS等TTL系列逻辑器件接口而无需额外的电平转换电路。这一特性简化了混合逻辑系统的设计复杂度。此外，该芯片具备较强的抗干扰能力，得益于CMOS结构固有的高噪声容限，通常在电源电压的30%~70%范围内都能可靠识别高低电平。
在可靠性方面，该器件集成了多种保护机制，包括输入端的串联电阻和ESD保护二极管，能够承受一定程度的人体模型（HBM）静电放电（通常可达2kV以上），提升了在实际生产和使用环境中的稳定性。SOIC-14封装形式不仅节省PCB空间，还具备良好的热传导性能和焊接可靠性，适合自动化贴片生产流程。
74HC125S14-13常用于需要总线隔离与信号驱动的数字系统中。在微控制器或微处理器系统中，该芯片可用于实现地址总线或数据总线的缓冲与隔离，特别是在多外设共享总线的情况下，通过控制各缓冲器的使能端实现分时访问，避免总线争用问题。例如，在嵌入式系统中扩展外部存储器或I/O接口时，可利用该芯片将MCU的总线信号传递给目标设备，并在未选中时将其隔离，确保系统稳定性。
在通信接口设计中，74HC125S14-13可用于增强信号驱动能力，尤其是在长距离传输或多负载连接时，提升信号完整性。例如，在SPI或并行通信总线中，当主设备需驱动多个从设备且存在分布电容较大时，可通过该缓冲器增强驱动电流，减少信号衰减和上升/下降时间延长的问题。
该器件也适用于可编程逻辑器件（如CPLD/FPGA）与外围电路之间的接口调理，提供电平匹配和驱动增强功能。此外，在测试测量设备、工业控制板卡、消费类电子产品以及教育实验平台中均有广泛应用。由于其三态输出特性，还可用于构建双向总线系统（配合方向控制信号使用），尽管本身为单向器件，但通过合理设计仍可在特定架构中发挥作用。
SN74HC125N
74HC125D
M74HC125B1R
CD74HC125E
