器件类型：齐纳二极管
　　封装类型：SOT-23（RTK）
　　最大耗散功率：200mW
　　齐纳电压（Vz）：6.8V（@ Iz = 20mA）
　　齐纳电流（Iz）：20mA
　　最大齐纳阻抗（Zz）：15Ω
　　最大反向漏电流（IR）：100nA（@ VR = 1V）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

MMBZ5235B-RTK/P 采用SOT-23小型封装，适合空间受限的电路设计，同时具备良好的热稳定性和响应速度。其齐纳电压精度高，典型容差为±5%（可根据具体后缀标识选择不同精度等级），确保在关键电路中提供稳定的参考电压或保护功能。该器件的低功耗特性使其非常适合电池供电设备使用。此外，该稳压二极管具有良好的抗静电能力和较高的可靠性，能够适应复杂的工作环境。
　　在电气性能方面，MMBZ5235B-RTK/P 在6.8V的齐纳电压下可提供稳定的电压钳位效果，适用于信号线保护、逻辑电平转换、参考电压源等应用。其快速响应时间确保在瞬态过压事件中迅速动作，保护后级电路免受损坏。该器件还具有良好的温度补偿特性，能够在不同工作温度下保持稳定的齐纳电压，适用于对温度变化敏感的应用场景。
　　从封装角度来看，SOT-23结构便于自动化贴片工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。其引脚排列紧凑，便于PCB布局布线，减少寄生电感和电容的影响，适用于高频电路中的稳压和保护。

MMBZ5235B-RTK/P 主要用于需要低功耗、小体积稳压解决方案的电子系统中。常见应用包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、穿戴设备）中的电源管理、USB接口保护、ADC参考电压源、信号调理电路、传感器供电电路、通信模块的稳压与保护等。此外，该器件也可用于数字电路中的电平转换、比较器电路的参考电压设定、以及各类低功耗控制电路中的电压钳位保护等场景。由于其具备良好的瞬态响应能力，也常用于应对ESD（静电放电）和浪涌电压的保护设计中。

MMBZ5235BLT1G, MMSZ5235B, BZX84C6V8, 1N4736A