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BSS63 发布时间 时间:2022/12/29 14:11:56 查看 阅读:1019

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:PNP

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V



目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:晶体管(BJT) - 单路

    系列:-

    晶体管类型:PNP

    电流 - 集电极 (Ic)(最大):200mA

    电压 - 集电极发射极击穿(最大):100V

    Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):250mV @ 2.5mA, 25mA

    电流 - 集电极截止(最大):-

    在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):30 @ 10mA, 1V

    功率 - 最大:350mW

    频率 - 转换:50MHz

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:SOT-23-3, TO-236-3, Micro3?, SSD3, SST3

    包装:带卷 (TR)

    供应商设备封装:*


资料

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STMICROELECTRONICS

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BSS63参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)200mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 2.5mA,25mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 10mA,1V
  • 功率 - 最大350mW
  • 频率 - 转换50MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装SOT-23-3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称BSS63-NDBSS63TR